[發(fā)明專利]形成高電子遷移率半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410095340.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN104051236A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·薩利赫;小J·M·帕西
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/335;H01L29/04;H01L29/739
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種形成高電子遷移率HEM器件的方法，包括：

提供包含硅的第一半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)基板；

覆在所述基礎(chǔ)基板上形成GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一的層；

在所述層與下層材料的界面附近形成脆性區(qū)域；

從所述基礎(chǔ)基板分離所述層的一部分；

將所述層的所述一部分附接至中間基板；以及

在所述層的所述一部分中形成所述HEM器件。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，分離所述層的所述一部分包含將所述層沿著大體上平行于所述基礎(chǔ)基板的所述表面的所述層的長(zhǎng)軸，分為兩部分。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含在分離所述層的所述一部分之前，將所述中間基板附接至所述層的所述一部分。

4.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供包含硅的第一半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)基板；以及

在所述基礎(chǔ)基板上形成GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一的層。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，提供所述基礎(chǔ)基板包含提供多孔硅基礎(chǔ)基板。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包含在所述層中形成脆性區(qū)域。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包含將中間基板鍵合至所述層。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包含從所述基礎(chǔ)基板分離所述中間基板和所述層的至少一部分。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，還包含從所述基礎(chǔ)基板分離所述層的至少一部分。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包含將所述層的所述一部分鍵合至中間基板。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包含清洗所述基礎(chǔ)基板，并在所述基礎(chǔ)基板上形成另一個(gè)層，其中，所述另一個(gè)層是GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一。

12.如權(quán)利要求4所述的方法，還包含形成包含所述層的所述HEM器件。

13.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，提供基礎(chǔ)基板包括提供在所述基礎(chǔ)基板的表面上具有孔的多孔硅基礎(chǔ)基板；

在所述孔上以及所述孔內(nèi)形成絕緣體；以及

將所述表面平面化，以在所述基礎(chǔ)基板的所述表面上形成硅成核位點(diǎn)。

14.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述層包含形成包含多個(gè)III系層的層。

15.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述層包含形成AlN層，并在所述AlN層上形成GaN層。

16.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，提供所述基礎(chǔ)基板包含：提供在(111)面具有表面的硅基礎(chǔ)基板；以及

在所述硅基礎(chǔ)基板的所述表面上形成GaN的層，其中，GaN在所述硅基礎(chǔ)基板的(111)面上形成有(0001)面。

17.一種高電子遷移率HEM器件，包括：

硅基礎(chǔ)基板，在(111)面具有表面；以及

GaN或者其他II-V或者II-VI材料的層，在所述硅基礎(chǔ)基板的所述表面上，其中，所述層在所述硅基礎(chǔ)基板的所述(111)面上形成有(0001)面。

18.如權(quán)利要求17所述的HEM器件，還包含在所述層的至少一部分上的溝道材料。

19.如權(quán)利要求18所述的HEM器件，其中，所述溝道材料包含AlGaN。

20.如權(quán)利要求18所述的HEM器件，還包含覆在所述溝道材料上的柵極材料。