[發明專利]芯片封裝和用于制造該芯片封裝的方法

有效

• 申請號: 201410094226.2
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104051363B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: F.德赫;H.埃韋;J.赫格勞爾;J.馬勒;R.皮塔西;A.普羅伊克爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,胡莉莉

技術領域

各種實施例一般地涉及芯片封裝和用于制造該芯片封裝的方法。

背景技術

芯片嵌入式封裝中的現有技術是基于單獨半導體電路在兩側的重新分布。具有安裝在其上面的芯片的嵌入式芯片載體通常借助于所謂的重新分布層被電接觸、重新布線（即重新分布）且電連接至外圍。這樣，也許不可能實現靈活的“占位空間（footprint）”，其中芯片面朝下的方法對到印刷電路板（PCB）的連接具有特別相關性。

發明內容

各種實施例提供了一種芯片封裝。該芯片封裝可包括金屬芯片載體；由金屬芯片載體承載的至少一個芯片；密封材料，其密封所述至少一個芯片和所述金屬芯片載體；以及多個重新分布層，其被設置于與金屬芯片載體相對的所述至少一個芯片上，其中所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層與所述至少一個芯片電耦合。

附圖說明

在附圖中，相似的參考符號一般指的是遍及不同視圖的相同部分。附圖不一定按比例，而是一般地將重點放在圖示本發明的原理上。在以下描述中，參考以下各圖來描述本發明的各種實施例，在所述附圖中：

圖1示出了根據各種實施例的芯片封裝；

圖2示出了根據各種實施例的芯片封裝；

圖3A示出了根據各種實施例的芯片封裝；

圖3B示出了根據各種實施例的采取倒裝方式的芯片封裝；

圖4示出了根據各種實施例的采取倒裝方式的芯片封裝；

圖5示出了根據各種實施例的芯片封裝；以及

圖6示出了圖示出根據各種實施例的用于制造芯片封裝的方法的流程圖。

具體實施方式

以下詳細描述參考以圖示的方式示出特定細節和其中可實施本發明的實施例的附圖。

詞語“示例性”在本文中用來意指“充當示例、實例或圖示”。不一定要將在本文中被描述為“示例性”的任何實施例或設計解釋為相對于其它實施例或設計是優選的或有利的。

關于在側面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可用來意指可“直接地在所指側面或表面上”、例如與之直接接觸地形成沉積材料。關于在側面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可用來意指可在所指側面或表面與沉積材料之間布置了一個或多個附加層的情況下“間接地在所指側面或表面上”形成沉積材料。

各種實施例提供了具有靈活占位空間的芯片封裝設計。

圖1示出了根據各種實施例的芯片封裝100。

如圖1中所示，芯片封裝100可包括金屬芯片載體102；由金屬芯片載體102承載的至少一個芯片104；以及密封材料106，其密封至少一個芯片104和金屬芯片載體102。芯片封裝100還可包括設置在與金屬芯片載體102相對的至少一個芯片104上的多個重新分布層108、110，其中，所述多個重新分布層108、110中的至少一個重新分布層與至少一個芯片104電耦合。

在如圖1中所示的各種實施例中，至少兩個重新分布層（例如第一重新分布層108和第二重新分布層110）被設置在至少一個芯片104上。第二重新分布層110可提供z方向（即垂直于芯片104的主表面的方向）上的更好解脫（disentangle），并且可因此提供芯片封裝100的改善的介電強度。應理解的是在各種實施例中，可在芯片封裝100中包括各種數目的重新分布層（例如，三個、四個、五個...）以用于與至少一個芯片104的電耦合。

在各種實施例中，芯片封裝100還可包括延伸通過密封材料106以將至少一個芯片104與所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層（例如第一重新分布層108）電耦合的至少一個接觸孔112。

在各種實施例中，芯片封裝100還可包括延伸通過密封材料106以將多個重新分布層108、110相互電耦合的至少一個另外的接觸孔114。

在各種實施例中，至少一個芯片104可至少包括在第一芯片側（例如底側）的第一接觸116和在與第一芯片側相對的第二芯片側（例如頂側）的第二接觸118。

在本描述的上下文中，第一側還可稱為芯片的“底側”或“背面”。在下文中可以可互換地使用術語“第一側”、“背面”或“底側”。還可將第二側稱為芯片的“頂側”、“正面”或“上側”。在下文中可以可互換地使用術語“頂側”、“第二側”、“正面”或“上側”。

在各種實施例中，可將第一接觸116電耦合到金屬載體102。第二接觸118可電耦合到所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層，例如第一重新分布層108。