[發(fā)明專利]芯片封裝和用于制造該芯片封裝的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410094226.2
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104051363B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設計）人: F.德赫;H.埃韋;J.赫格勞爾;J.馬勒;R.皮塔西;A.普羅伊克爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,胡莉莉

1.一種芯片封裝，包括：

金屬芯片載體；

至少一個芯片，其由所述金屬芯片載體承載；

密封材料，其將所述至少一個芯片和所述金屬芯片載體密封；

多個重新分布層，其被設置在與所述金屬芯片載體相對的所述至少一個芯片上，其中，所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層與所述至少一個芯片電耦合；

至少一個接觸孔，其延伸通過密封材料以將所述至少一個芯片與所述多個重新分布層中的至少一個電耦合；以及

導電層，其被設置在與所述多個重新分布層相對的金屬芯片載體上。

2.權(quán)利要求1的芯片封裝，還包括：

另外的金屬芯片載體；以及

至少一個另外的芯片，其由所述另外的金屬芯片載體承載；

其中，所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層與所述至少一個另外的芯片電耦合。

3.權(quán)利要求1所述的芯片封裝，

其中，所述至少一個芯片至少包括在第一芯片側(cè)的第一接觸和在與所述第一芯片側(cè)相對的第二芯片側(cè)的第二接觸。

4.權(quán)利要求3的芯片封裝，

其中，所述第一接觸被電耦合到所述金屬載體；并且

其中，所述第二接觸被電耦合到所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層。

5.權(quán)利要求4的芯片封裝，

其中，所述至少一個芯片包括場效應晶體管；

其中，所述第一接觸是漏極接觸；

其中，所述第二接觸是柵極接觸；以及

其中，所述至少一個芯片還包括源極接觸。

6.權(quán)利要求4的芯片封裝，

其中，所述至少一個芯片包括雙極晶體管；

其中，所述第一接觸是集電極接觸；

其中，所述第二接觸是基極接觸；以及

其中，所述至少一個芯片還包括發(fā)射極接觸。

7.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述至少一個芯片包括功率芯片。

8.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述芯片包括選自由以下各項組成的組的功率芯片：

功率二極管；以及

功率晶體管。

9.權(quán)利要求2的芯片封裝，

其中，所述至少一個另外的芯片包括另外的功率芯片。

10.權(quán)利要求9的芯片封裝，

其中，所述另外的功率芯片包括選自由以下各項組成的組的功率芯片：

功率二極管；以及

功率晶體管。

11.權(quán)利要求1的芯片封裝，還包括：

至少一個另外的接觸孔，其延伸通過密封材料以將所述多個重新分布層相互電耦合。

12.權(quán)利要求1的芯片封裝，還包括：

至少一個接觸焊盤，其被設置在所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層上以提供封裝外部電接觸。

13.權(quán)利要求12的芯片封裝，

其中，所述至少一個接觸焊盤與所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層電耦合。

14.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述密封材料是選自由以下各項組成的材料組中的材料：

模具材料；和

層壓材料。

15.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述導電層包括金屬、金屬合金和導電粘合劑中的至少一個。

16.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述導電層具有在從1μm至50μm范圍中的層厚度。

17.權(quán)利要求1的芯片封裝，

其中，所述導電層被圖案化。

18.權(quán)利要求2的芯片封裝，還包括：

其中，所述至少一個芯片和所述至少一個另外的芯片在橋電路結(jié)構(gòu)中被相互連接。

19.權(quán)利要求1的芯片封裝，還包括：

至少一個第三芯片，其被電耦合到所述多個重新分布層中的至少一個重新分布層。

20.權(quán)利要求19的芯片封裝，

其中，所述第三芯片包括邏輯芯片。