[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管及其制備方法在審
| 申請號： | 201410093932.5 | 申請日： | 2014-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN103824915A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 閆發旺;白俊春;汪英杰 | 申請（專利權）人： | 華延芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京權泰知識產權代理事務所(普通合伙) 11460 | 代理人： | 任永利 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵基發光二極管，其從下到上依次包括以下各層：
藍寶石襯底（1）；
氮化鎵層（2），該層作為緩沖層；
非摻雜氮化鎵層（3）；
n型導電氮化鎵層（4）；
表面粗化不平的氮化鋁硅層（5）；
氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層（6）；和
p型氮化鎵層（7）。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于所述表面粗化不平的氮化鋁硅層（5）的平均厚度為10-300納米，表面粗糙度為5-100nm。
3.一種氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
步驟1：利用金屬有機物化學氣相沉積設備，在藍寶石襯底（1）上依次外延生長氮化鎵層緩沖層（2）、非摻雜氮化鎵層（3）和n型導電氮化鎵層（4）后，調整所述金屬有機物化學氣相沉積設備到作為發光層的氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層的生長溫度;
步驟2：在生長氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層之前，將氨氣、有機鋁源和硅烷持續通入所述金屬有機物化學氣相沉積設備，以在所述n型導電氮化鎵層（4）上面自然生成表面粗化不平的氮化鋁硅層（5）；
步驟3：在該表面粗化不平的氮化鋁硅層（5）上再依次生長所述氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層（6）和p型氮化鎵層（7），即成為所述氮化鎵基發光二極管。
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