[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法在審
| 申請號: | 201410093512.7 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104218056A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 樸鐘賢;樸景薰;柳春基;許成權 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2013年5月31日提交的第10-2013-0063076號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請通過引用并入本文,就像其在本文中被完整闡述。
技術領域
本發明的示例性實施方式涉及有機發光顯示設備及其制造方法,更具體地涉及能夠有效地確定是否在制造過程中產生缺陷的有機發光顯示設備和制造該有機發光顯示設備的方法。
背景技術
一般地,有機發光顯示設備是包括像素的顯示設備,每個像素均包括有機發光裝置。典型的有機發光裝置包括像素電極、與像素電極相反的相對電極、以及位于像素電極與相對電極之間且至少包括發光層的中間層。
有機發光顯示設備包括像素電路,像素電路控制每個像素的有機發光裝置的發光。之前設定的電信號以之前設定的時序被提供至像素電路。為此,提供了從外部延伸至顯示區域的電氣線路。
然而,對于傳統的有機發光顯示設備,難以在制造過程中有效地確定線路是否具有缺陷。也就是說,對于傳統的有機發光顯示設備,即使當某一線路有缺陷地短路或斷路時,典型地繼續制造過程,因為線路的短路或斷路在過程中幾乎檢測不到,這將可能導致在完成產品制造之后缺陷的延期檢測。
發明內容
本發明的示例性實施方式提供了能夠有效確定在制造過程中是否發生缺陷的有機發光顯示設備和制造該有機發光顯示設備的方法。
根據本公開的一個示例性實施方式,提供了一種有機發光顯示設備,包括:像素,被布置在襯底的顯示區域中,位于掃描線與數據線的交叉處;第一初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第一側布置;第二初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第二側布置;初始化電源線,連接至所述像素、所述第一初始化主線和所述第二初始化主線;以及第一電連接部分,包括摻雜的半導體層,所述摻雜的半導體層的第一部分連接至所述第一初始化主線,并且所述摻雜的半導體層的第二部分連接至所述初始化電源線。
根據一個示例性實施方式,提供了一種有機發光顯示設備,包括:像素,被布置在襯底的顯示區域中,位于掃描線與數據線的交叉處;第一初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第一側布置;第二初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第二側布置;初始化電源線,電連接至所述像素并且電連接至所述第一初始化主線和所述第二初始化主線;以及第一電連接部分,包括用于將所述第一初始化主線電連接至所述初始化電源線的導電層。
根據一個示例性實施方式,提供了一種制造有機發光顯示設備的方法,所述方法包括:在包括顯示區域和位于所述顯示區域外的非顯示區域的襯底的顯示區域中形成圖案化的多個半導體層和在所述襯底的非顯示區域中形成附加的半導體層;形成第一絕緣層以位于所述多個半導體層和所述附加的半導體層上方;在所述多個半導體層上形成柵電極和在所述附加的半導體層上形成封蓋層;使用所述柵電極和所述封蓋層作為掩模,對所述多個半導體層的不與所述柵電極對應的部分和所述附加的半導體層的不與所述封蓋層對應的部分進行摻雜;形成第二絕緣層以位于所述第一絕緣層、所述柵電極和所述封蓋層上方;圖案化所述第一絕緣層和所述第二絕緣層以使所述多個半導體層的源區和漏區、所述附加的半導體層的不與所述封蓋層對應的部分的至少一部分和所述封蓋層的頂面暴露;在所述第二絕緣層上形成導電層以位于所述多個半導體層和所述附加的半導體層的未被所述第一絕緣層和所述第二絕緣層覆蓋的部分以及所述封蓋層上方;移除所述導電層的一部分以形成分別與所述多個導電層的源區和漏區連接的源電極和漏電極、移除封蓋層、形成與所述附加的半導體層的第一部分連接的第一初始化主線、以及形成與所述附加的半導體層的第二部分連接的初始化電源線;以及對所述附加的半導體層的未被摻雜的部分進行摻雜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





