[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法在審
| 申請號: | 201410093512.7 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104218056A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 樸鐘賢;樸景薰;柳春基;許成權 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示設備,包括:
像素,被布置在襯底的顯示區域中,位于掃描線與數據線的交叉處;
第一初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第一側布置;
第二初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第二側布置;
初始化電源線,連接至所述像素、所述第一初始化主線和所述第二初始化主線;以及
第一電連接部分,包括摻雜的半導體層,所述摻雜的半導體層的第一部分連接至所述第一初始化主線,并且所述摻雜的半導體層的第二部分連接至所述初始化電源線。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中每個像素包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括半導體層以及源和漏電極,并且所述摻雜的半導體層與所述半導體層被設置在同一層上。
3.如權利要求2所述的有機發光顯示設備,其中所述初始化電源線與所述薄膜晶體管的源和漏電極設置在同一層上,并且位于第一絕緣層上方,所述第一絕緣層包括使所述摻雜的半導體層的至少一部分暴露的開口,以及
所述初始化電源線通過所述開口連接至所述摻雜的半導體層。
4.如權利要求3所述的有機發光顯示設備,其中所述第一初始化主線被設置在所述第一絕緣層上并且通過所述第一絕緣層的開口連接至所述摻雜的半導體層。
5.如權利要求1所述的有機發光顯示設備,還包括:
第二絕緣層,位于所述初始化電源線下方的所述第一絕緣層的下方;以及
島形狀的島絕緣層,被設置在所述摻雜的半導體層的至少一部分上并且使所述摻雜的半導體層的兩側暴露,
其中所述島絕緣層包括與所述第二絕緣層相同的材料。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中每個所述像素包括:
有機發光裝置,包括連接至第二電源的相對電極;
第一晶體管,包括連接至所述數據線中的一個的第一電極和連接至第一節點的第二電極,所述第一晶體管響應于提供至所述掃描線中的一個的掃描信號而導通;
第一電容器,連接在所述第一節點與第三電源之間并且被配置為充入與由所述數據線提供的數據信號對應的電壓;以及
驅動電路,連接至所述初始化電源線并且被配置為使用所述第一電容器的電容器電壓充電和將與所述電容器電壓對應的電流經由有機發光裝置從第一電源提供至所述第二電源。
7.如權利要求6所述的有機發光顯示設備,其中所述第三電源被配置為具有與所述第一電源或所述初始化電源線的電壓相同的電壓。
8.如權利要求6所述的有機發光顯示設備,還包括:
第二晶體管,包括連接至第一節點的第一電極和連接至第二節點的第二電極,所述第二晶體管在幀周期中先于所述第一晶體管被導通;
第三晶體管,包括連接至所述初始化電源線的第一電極和連接至第三節點的第二電極,所述第三晶體管在所述幀周期中先于所述第二晶體管被導通;
第四晶體管,包括連接至所述第三節點的第一電極和連接至第四節點的第二電極,所述第四晶體管與所述第二晶體管同時被導通;
第五晶體管,包括連接至所述第一電源的第一電極和連接至所述第二節點的第二電極,所述第五晶體管與所述第三晶體管同時被導通;
第六晶體管,包括連接至所述第二節點的第一電極、連接至所述第四節點的第二電極和連接至所述第三節點的柵電極;
第七晶體管,包括連接至所述第四節點的第一電極和與所述有機發光裝置的像素電極連接的第二電極,所述第七晶體管響應于所述第一晶體管被導通而被導通并且至少在發光周期中保持導通;
第八晶體管,包括連接至所述第一電源的第一電極和連接至所述第二節點的第二電極,所述第八晶體管在所述第七晶體管被導通的同時被導通;以及
第二電容器,包括連接至所述第三節點的第一電極和連接至所述第一電源的第二電極。
9.一種有機發光顯示設備,包括:
像素,被布置在襯底的顯示區域中,位于掃描線與數據線的交叉處;
第一初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第一側布置;
第二初始化主線,沿所述襯底的顯示區域的第二側布置;
初始化電源線,電連接至所述像素并且電連接至所述第一初始化主線和所述第二初始化主線;以及
第一電連接部分,包括用于將所述第一初始化主線電連接至所述初始化電源線的導電層。
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H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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