[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝和封裝半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410092916.4
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN104051334B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊永波;小安東尼·班巴拉·迪曼諾;胡振鴻
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)測總部私人有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 郭婧婧

1.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法，其包含：

提供具有第一和第二主表面的封裝襯底，其中所述封裝襯底包含具有成型材料的基座襯底和多個互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)包括延伸穿過所述封裝襯底的所述第一主表面到所述第二主表面的通孔觸點(diǎn)，其中所述提供的封裝襯底包括

提供具有第一、第二和第三導(dǎo)電層的導(dǎo)電載體，其中所述第一導(dǎo)電層經(jīng)圖案化用于界定界定封裝襯底的通孔觸點(diǎn)，多個空腔和當(dāng)圖案化第一導(dǎo)電層時，作為刻蝕停止層的第二導(dǎo)電層的圖案；以及

用成型材料填充所述空腔以形成所述封裝襯底的基座襯底；

形成所述封裝襯底的其它互連層，所述其它互連層包含通過圖案化第二和第三導(dǎo)電層形成多個直接耦接到所述通孔觸點(diǎn)的導(dǎo)電螺柱，其中所述導(dǎo)電螺柱的寬度小于所述通孔觸點(diǎn)的寬度，并且，所述導(dǎo)電螺柱在所述通孔觸點(diǎn)內(nèi)形成，且不超出所述通孔觸點(diǎn)的寬度；

提供在其第一或第二表面上具有導(dǎo)電觸點(diǎn)的裸片，其中所述裸片的所述導(dǎo)電觸點(diǎn)電耦接到所述互連結(jié)構(gòu)；以及

在所述封裝襯底上形成封蓋以包封所述裸片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含形成導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線耦接到所述導(dǎo)電螺柱，其中所述通孔觸點(diǎn)、導(dǎo)電螺柱和導(dǎo)電跡線形成所述互連結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述導(dǎo)電跡線通過鍍覆形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述導(dǎo)電跡線從所述裸片下延伸至所述裸片的周邊區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中包含提供與所述導(dǎo)電觸點(diǎn)直接接觸的介電層，且所述介電層部分覆蓋所述導(dǎo)電觸點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中導(dǎo)電螺柱在封裝襯底的周邊上形成，使得導(dǎo)電螺柱的側(cè)表面暴露。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一導(dǎo)電層通過掩模，和蝕刻去除第一導(dǎo)電層未被掩模保護(hù)的部分實(shí)現(xiàn)圖案化。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中成型材料的過量部分在所述通孔觸點(diǎn)的頂面上形成，且從導(dǎo)電載體的一個表面去除所述成型材料的過量部分，使得所述通孔觸點(diǎn)頂面的暴露。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述空腔通過傳遞成型、打印、膜輔助成型或壓縮成型技術(shù)被成型材料填充。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電螺柱形成于通孔觸點(diǎn)的中心處。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二和第三導(dǎo)電層通過鍍覆形成，所述第二導(dǎo)電層包含不同于第一和第三導(dǎo)電層的材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電層包括鎳，所述第一和第三導(dǎo)電層包括銅。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中圖案化所述第二和第三導(dǎo)電層包括第一和第二蝕刻工藝。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一蝕刻工藝去除所述第三導(dǎo)電層的部分，并停止在所述第二導(dǎo)電層，所述第二蝕刻工藝去除第二導(dǎo)電層的部分，并所述通孔觸點(diǎn)的頂表面和所述成型材料界定的表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其提供覆蓋和填充所述導(dǎo)電螺柱之間空間的絕緣層，其中所述絕緣層部分覆蓋和接觸所述通孔觸點(diǎn)的頂面。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其包含形成導(dǎo)電跡線，所述導(dǎo)電跡線耦接到所述導(dǎo)電螺柱且從所述導(dǎo)電螺柱的側(cè)表面延伸。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述導(dǎo)電跡線在所述絕緣層的頂表面上形成。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，所述導(dǎo)電跡線從所述導(dǎo)電螺柱的側(cè)表面延伸，并超出所述導(dǎo)電螺柱的寬度。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述封蓋直接接觸所述導(dǎo)電跡線的頂表面。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，導(dǎo)電跡線的頂表面與所述絕緣層的頂表面齊平。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，所述絕緣層和所述成型材料包括不同的介電材料。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，所述絕緣層包括焊接掩膜和無機(jī)絕緣膜，所述成型材料包括環(huán)氧樹脂材料。