[發(fā)明專利]形成用于圖案化底層結(jié)構(gòu)的掩膜層的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410092896.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104051235B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·M·施密德;J·A·瓦爾;R·A·法雷爾;C·帕克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉,王錦陽(yáng) |
| 地址: | 英屬開(kāi)曼群*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 用于 圖案 底層 結(jié)構(gòu) 掩膜層 方法 | ||
1.一種方法,包括:
在結(jié)構(gòu)上方形成包含多個(gè)分離的開(kāi)口的圖案化硬掩膜層,其中,該圖案化硬掩膜層包含多個(gè)交叉線狀特征;
在該圖案化硬掩膜層上方形成圖案化蝕刻掩膜,其曝露出至少一個(gè),但非全部的該多個(gè)分離的開(kāi)口;以及
透過(guò)該圖案化蝕刻掩膜和在該圖案化硬掩膜層中的該至少一個(gè)曝露出來(lái)的開(kāi)口實(shí)行至少一個(gè)蝕刻制程以在該結(jié)構(gòu)中定義開(kāi)口。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該結(jié)構(gòu)是絕緣材料層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征是借由實(shí)行多個(gè)定向自組裝制程操作所形成。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,至少部分的該交叉線狀特征是借由實(shí)行定向自組裝制程操作所形成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征以大約90度角彼此交叉。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征以非正交的角度彼此交叉。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該分離的開(kāi)口具有實(shí)質(zhì)上矩形的結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該圖案化硬掩膜層包含第一多個(gè)線狀特征,其與第二多個(gè)線狀特征交叉,其中,該第一多個(gè)線狀特征和該第二多個(gè)線狀特征是以不同的材料制成。
9.一種方法,包括:
在結(jié)構(gòu)上方形成圖案化硬掩膜層,其中,該圖案化硬掩膜層包含第一多個(gè)線狀特征,其與第二多個(gè)線狀特征交叉,從而定義多個(gè)分離的開(kāi)口,且其中,該第一多個(gè)線狀特征和該第二多個(gè)線狀特征是以不同的材料制成;
在該圖案化硬掩膜層上方形成圖案化蝕刻掩膜,其曝露出至少一個(gè),但非全部的該多個(gè)分離的開(kāi)口;以及
透過(guò)該圖案化蝕刻掩膜和在該圖案化硬掩膜層中的該至少一個(gè)曝露出來(lái)的開(kāi)口實(shí)行至少一個(gè)蝕刻制程以在該結(jié)構(gòu)中定義開(kāi)口。
10.如權(quán)利要求9所述的電路組件,其特征在于,該交叉的線狀特征以大約90度角彼此交叉。
11.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,該交叉的線狀特征以非正交的角度彼此交叉。
12.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,該分離的開(kāi)口具有實(shí)質(zhì)上矩形的結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,該交叉的線狀特征是借由實(shí)行多個(gè)定向自組裝制程操作所形成。
14.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,至少部分的該交叉的線狀特征是借由實(shí)行定向自組裝制程操作所形成。
15.一種方法,包括:
在結(jié)構(gòu)上方形成圖案化硬掩膜層,該圖案化硬掩膜層包括多個(gè)交叉線狀特征,其定義具有實(shí)質(zhì)上矩形的結(jié)構(gòu)的多個(gè)分離的開(kāi)口;
在該圖案化硬掩膜層上方形成圖案化蝕刻掩膜,其曝露出至少一個(gè),但非全部的該多個(gè)分離的開(kāi)口;以及
透過(guò)該圖案化蝕刻掩膜和在該圖案化硬掩膜層中的該至少一個(gè)曝露出來(lái)的開(kāi)口實(shí)行至少一個(gè)蝕刻制程以在該結(jié)構(gòu)中定義開(kāi)口。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征以大約90度角彼此交叉。
17.如權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征包含第一多個(gè)線狀特征,其與第二多個(gè)線狀特征交叉,其中,該第一多個(gè)線狀特征和該第二多個(gè)線狀特征是以不同的材料制成。
18.如權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,該交叉線狀特征是借由實(shí)行多個(gè)定向自組裝制程操作所形成。
19.如權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,至少部分的該交叉線狀特征是借由實(shí)行定向自組裝制程操作所形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





