[發明專利]雙圖案化技術中減少顏色密度差異的針腳嵌入有效
| 申請號: | 201410092693.1 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104051234B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發明(設計)人: | 王道寧;S·馬達范;路易奇卡波迪耶西 | 申請(專利權)人: | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉,王錦陽 |
| 地址: | 英屬開曼群*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 技術 減少 顏色 密度 差異 針腳 嵌入 | ||
1.一種方法,其包括:
決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的集成電路(IC)設計的層;
通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異;
決定在待由該第一掩模解析的第一特征的該層上的區域;以及
基于該密度差異,在該區域內嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
2.根據權利要求1所述的方法,包括:
決定該區域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離,其中,該多邊形的嵌入更基于該距離。
3.根據權利要求2所述的方法,包括:
比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關連的臨界距離,其中,該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。
4.根據權利要求1所述的方法,包括:
通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異;以及
基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區域的一部分,其中,該多邊形位于該部分內。
5.根據權利要求1所述的方法,包括:
決定第二區域在待由該第一掩模解析的第二特征的該層上;
基于各該第一及該第二區域的面積比較來選擇該第一或該第二區域,其中,該多邊形的嵌入更基于各該第一及該第二區域的該面積比較;以及
開始僅該IC設計中的一部分的設計規則檢查,該部分包含該多邊形。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,該第一集合特征將會由該第一掩模解析,以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,該第一集合特征安置于該層的第一部分中,以及該第二集合特征安置于該層與該第一部分分開的第二部分中。
8.根據權利要求1所述的方法,包括:
通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異;
比較該第二密度差異與閾值;以及
基于該第二密度差異與該閾值的比較來決定是否嵌入待由該第二掩模解析的另一多邊形。
9.一種設備,其包括:
至少一個處理器;以及
包含用于一個或多個程序的計算機程序代碼的至少一個內存,
該至少一個內存及該計算機程序代碼經組構成以該至少一個處理器造成該設備至少執行下列:
決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的集成電路(IC)設計的層;
通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異;
決定在待由該第一掩模解析的第一特征的層上的區域;以及
基于該密度差異,在該區域內嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
10.根據權利要求9所述的設備,其中,更造成該設備:
決定該區域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離,其中,該多邊形的嵌入更基于該距離。
11.根據權利要求10所述的設備,其中,更造成該設備:
比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關連的臨界距離,其中,該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。
12.根據權利要求9所述的設備,其中,更造成該設備:
通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異;以及
基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區域的一部分,其中,該多邊形位于該部分內。
13.根據權利要求9所述的設備,其中,更造成該設備:
決定在待由該第一掩模解析的第二特征的層上的第二區域;
基于各該第一及該第二區域的面積比較來選擇該第一或該第二區域,其中,該多邊形的嵌入更基于各該第一及該第二區域的該面積比較;以及
開始僅該IC設計的一部分的設計規則檢查,該部分包含該多邊形。
14.根據權利要求9所述的設備,其中,該第一集合特征將會由該第一掩模解析,以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





