[發明專利]一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊

有效

• 申請號: 201410091960.3
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN103824832A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 周華豐;張文華;馬關金
• 申請（專利權）人: 杭州明果教育咨詢有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

技術領域

本發明屬于半導體封裝技術領域，具體為一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊。

背景技術

多MOSFET集成封裝模塊最主要是在直接敷銅基板(DBC)上布局MOSFET芯片、二極管芯片、功率端子。在對這種模塊中的整體結構進行設計時，要考慮熱設計、結構應力設計、EMC?設計和電路結構設計，此還同時要考慮設計產品的生產成本。現有的多MOSFET集成封裝模塊設計中存在的主要問題是產品的可靠性低、生產工藝復雜，生產成本高。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，本發明的目的在于設計提供一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊的技術方案，結合MOSFET晶元的三相、正負、空間結構、電流強度、散熱等方面綜合考慮，其合理布線，減少鋁鍵合線的使用，增強并聯晶元的開斷一致性，縮小整個功率器件體積。

所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊,?其特征在于多MOSFET晶片在敷銅基板上封裝成六個橋臂，集成為三相全橋電機驅動模塊，一組MOSFET的源極與另一組MOSFET的漏極連接時共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個MOSFET共用一片敷銅。

所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET的柵極引出敷銅線設置成衣架形狀，且在柵極引出敷銅線中間設置焊接點。

所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于敷銅基板上設置一組測溫組件。

所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET中設置一組并聯的電阻。

上述一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，通過合理排布MOSFET管芯在敷銅基板上的布局，大大減小敷銅基板的使用面積，使得整個開關元件體積大大縮小，降低成本；通過設計新型封裝方法減少了熱量的中間傳導層，使得散熱效率有了很大提高，進而提高控制器的可靠性。

附圖說明

圖1?為本發明的結構示意圖；

圖2為本發明的電路原理圖；

圖中：1-MOSFET的漏極、2-MOSFET的柵極、3-焊接點、4-敷銅基板、5-電阻、6-MOSFET的源極、7-測溫組件。

具體實施方式

以下結合說明書附圖對本發明作進一步說明。

如圖1所示，多MOSFET晶片在敷銅基板4上封裝成六個橋臂，集成為三相全橋電機驅動模塊。本發明在敷銅基板4進行刻蝕時，根據電機驅動的使用場合進行設計，一組MOSFET的源極6與另一組MOSFET的漏極1連接時共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個MOSFET共用一片敷銅，減小敷銅使用面積，縮小體積，降低成本。每組MOSFET的柵極2引出敷銅線設置成衣架形狀，且在柵極引出敷銅線中間設置焊接點3，減小布線的電感影響，使得每組內MOSFET的開通關斷時刻盡量一致，減小MOSFET的發熱量，進而提高控制器的可靠性。敷銅基板4上根據發熱區域合理布局了多個測溫組件7。每組MOSFET中設置一組并聯的電阻5。

如圖2所示，MOSFET?Q1、MOSFET?Q2、MOSFET?Q3、MOSFET?Q4、MOSFET?Q5的2腳連接在一起，并且與電源正極相連，MOSFET?Q1、MOSFET?Q2、MOSFET?Q3、MOSFET?Q4、MOSFET?Q5的3腳連接在一起，并與電機U相相連，MOSFET?Q1的1腳與電阻R1相連，MOSFET?Q2的1腳與電阻R2相連，MOSFET?Q3的1腳與電阻R3相連，MOSFET?Q4的1腳與電阻R4相連，MOSFET?Q5的1腳與電阻R5相連，電阻R1，R2，R3，R4，R5的另一端連接在一起，并與U相上臂驅動相連。MOSFET?Q16、MOSFET?Q17、MOSFET?Q18、MOSFET?Q19、MOSFET?Q20的2腳連接在一起，并且與電機U相相連，MOSFET?Q16、MOSFET?Q17、MOSFET?Q18、MOSFET?Q19、MOSFET?Q20的3腳連接在一起，并與電源負極相連，MOSFET?Q16的1腳與電阻R16相連，MOSFET?Q17的1腳與電阻R17相連，MOSFET?Q18的1腳與電阻R18相連，MOSFET?Q19的1腳與電阻R19相連，MOSFET?Q20的1腳與電阻R20相連，電阻R16，R17，R18，R19，R20的另一端連接在一起，并與U相下臂驅動相連。