[發明專利]電解銅箔銅基高分子材料復合鍍處理工藝

有效

• 申請號: 201410091370.0
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN103866366B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 潘勤峰
• 申請（專利權）人: 江蘇銘豐電子材料科技有限公司
• 主分類號: C25D9/02
• 分類號: C25D9/02;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域：

本發明涉及電解銅箔生產加工工藝，特別涉及一種電解銅箔銅基高分子材料復合鍍處理工藝。

背景技術：

現有電解銅箔生產工藝，首先采用電沉積(電鍍)的方法將溶液中的銅離子沉積在金屬(鈦或不銹鋼)輥筒的表面，在輥筒不斷旋轉下連續沉積并將輥筒表面的銅膜剝離收卷，收好的銅箔卷經過放卷裝置進入后處理機對銅箔表面鍍銅進行粗化處理和鍍其它金屬(鋅、鎳、鈷、鉏、銦、鉻等)防止表面常溫、高溫氧化，對銅箔表面的粗化處理主要是為了提高銅箔和非金屬材料的結合。

現有銅箔工藝主要缺點是：銅箔下游產品主要是覆銅板、線路板和鋰電池電極材料，都需要銅箔和樹脂等非金屬材料有良好的結合、粘結能力，為了實現銅箔和非金屬材料之間良好的結合能力(抗剝離強度)，現有銅箔工藝要求在銅箔的粗糙面形成微觀復雜的類山峰狀多突起表面，對生產工藝提出了極其嚴格的工藝參數要求，成品率受到較大制約，另一方面，下游產品向超薄、集成化、微型化發展，銅箔必須滿足超薄、低輪廓、低粗糙度、高橈性的要求，現有銅箔工藝在既要形成微觀粗糙面又要降低粗糙度之間找到合理的工藝平衡點，生產難度大幅提高，已越來越不能滿足電子工業發展需求。

發明內容：

鑒于上述現有技術之局限，本發明提供了一種電解銅箔銅基高分子材料復合鍍處理工藝。該工藝采用復合鍍的技術原理，其將銅和極性高分子有機物電沉積在銅箔表面，極性高分子有機物均勻分布在銅箔表面并且極性端和銅箔結晶組織牢固融合，非極性端露出銅箔表面可以和樹脂等牢固粘合，既可以形成優異的結合強度，又對銅箔表面無任何粗糙度要求，可以根據電子工業發展需求隨意調整銅箔表面的粗糙度，生產雙面光滑表面銅箔，滿足印制線路板精細線路、高Tg值、高橈性的發展趨勢。

本發明的具體技術方案如下：

電解銅箔銅基高分子材料復合鍍處理工藝，該工藝利用原有銅箔后處理設備，增加輔助脈沖電源，具體步驟包括：

步驟①：采用硫酸H₂SO₄進行酸洗活化，去除銅箔表面氧化物；

步驟②：銅基復合鍍，在銅箔表面形成銅和高分子材料的復合鍍層，將極性高分子有機物均勻分布銅箔表面，并且極性端和銅鍍層結晶組織牢固融合，非極性端露出鍍層表面，從而能和樹脂等非金屬材料以化學鍵形式形成良好的結合力；

步驟③：水洗，清洗銅箔表面殘留溶液，防止銅箔氧化并進入后續加工工序。

上述方案中，所述整個工藝的化學原理公式為：

Cu²⁺+A+2HO^-+B＝(Cu+A)+H₂O+1/2O₂；

其中，A為極性高分子有機物，B為由銅基添加劑和絡合劑合成的多種成分添加劑。

上述方案中，所述極性高分子有機物采用直鏈烯烴(C_nH_2n)或帶羥基的直鏈烯烴(OH-C_nH_2n)或帶苯環的直鏈烯烴(C₆H₆-C_nH_2n)或分子量在100～10000之間的聚丙烯酰胺(-CH₂-CH(CONH₂)n-)

上述方案中，所述銅基添加劑采用硫脲(CH4N2S)或烷基二硫代胺基酸酯(-(CH₃)CH₂S₂NH₂COOCH₂CH₃-)。

上述方案中，所述絡合劑采用乙二胺(NH2CH2CH2NH2)或乙二胺四乙酸(H₂N-C(CH₃COO)₂-C(CH₃COO)₂-NH₂)。

上述方案中，所述整個工藝實施過程中還包括以下條件參數設置：

Cu²⁺濃度：10～60g/l

H₂SO₄濃度：10～120g/l

A濃度：0.1～10g/l

B濃度：0.01～10g/l

溫度：15～65℃

電流密度：30～3000A/m²

輔助脈沖電源：電流密度30～500A/m²,脈沖頻率3～50Hz