[發(fā)明專利]電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410091370.0
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN103866366B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘勤峰
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇銘豐電子材料科技有限公司
• 主分類號: C25D9/02
• 分類號: C25D9/02;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/06
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1.電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，該工藝?yán)迷秀~箔后處理設(shè)備，增加輔助脈沖電源，具體步驟包括：

步驟①：采用硫酸H₂SO₄進(jìn)行酸洗活化，去除銅箔表面氧化物；

步驟②：銅基復(fù)合鍍，在銅箔表面形成銅和高分子材料的復(fù)合鍍層，將極性高分子有機物均勻分布銅箔表面，并且極性端和銅鍍層結(jié)晶組織牢固融合，非極性端露出鍍層表面，從而能和樹脂等非金屬材料以化學(xué)鍵形式形成良好的結(jié)合力；

步驟③：水洗，清洗銅箔表面殘留溶液，防止銅箔氧化并進(jìn)入后續(xù)加工工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述整個工藝的化學(xué)原理公式為：

Cu²⁺+A+2HO^-+B＝(Cu+A)+H₂O+1/2O₂；

其中，A為極性高分子有機物，B為由銅基添加劑和絡(luò)合劑合成的多種成分添加劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述極性高分子有機物采用直鏈烯烴或帶羥基的直鏈烯烴或帶苯環(huán)的直鏈烯烴或分子量在100～1000之間的聚丙烯酰胺。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述銅基添加劑采用硫脲或烷基二硫代胺基酸酯。

5.根據(jù)權(quán)利要求2的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述絡(luò)合劑采用乙二胺或乙二胺四乙酸。

6.根據(jù)權(quán)利要求2的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述整個工藝實施過程中還包括以下條件參數(shù)設(shè)置：

Cu²⁺濃度：10～60g/l

H₂SO₄濃度：10～120g/l

A濃度：0.1～10g/l

B濃度：0.01～10g/l

溫度：15～65℃

電流密度：30～3000A/m²

輔助脈沖電源：電流密度30～500A/m²,脈沖頻率3～50Hz

溶液流量：1～10m³/h處理時間：5～30秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述整個工藝實施過程中進(jìn)一步包括以下條件參數(shù)設(shè)置：

Cu²⁺濃度：18～20g/l

H₂SO₄濃度：50～55g/l

A濃度：0.35g/l，3,5-二甲基-辛烯

B濃度：20mg/l，乙二胺；35mg/l，烷基二硫代胺基酸酯

溫度：27℃

電流密度：270A/m²

輔助脈沖電源：電流密度50A/m²,脈沖頻率20Hz，單向半波正脈沖

溶液流量：2m³/h

處理時間：25秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的電解銅箔銅基高分子材料復(fù)合鍍處理工藝，其特征在于，所述整個工藝實施過程中進(jìn)一步包括以下條件參數(shù)設(shè)置：

Cu²⁺濃度：40～45g/l

H₂SO₄濃度：80～90g/l

A濃度：0.7～0.8g/l，聚丙烯酰胺，分子量300～500

B濃度：20mg/l，乙二胺；35mg/l，烷基二硫代胺基酸酯

溫度：50～55℃

電流密度：750A/m²

輔助脈沖電源：電流密度100A/m²，脈沖頻率50Hz，正向全波、負(fù)向半波脈沖

溶液流量：5m³/h

處理時間：5秒。