[發(fā)明專利]包括非整數(shù)引線間距的封裝器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410089178.8
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN104051397B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J.赫格勞爾;M-A.庫特沙克;李德森;G.洛曼;R.奧特倫巴;W.佩因霍普夫
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬紅梅,胡莉莉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體封裝并且具體涉及封裝引線的配置。

背景技術(shù)

封裝和組裝構(gòu)成半導(dǎo)體器件制作的最后階段。封裝提供芯片和芯片載體之間的必要互連以及抵抗化學(xué)、機械或輻射引起的損壞的保護外殼。連續(xù)的技術(shù)改進處于進行中，以便滿足對具有更小的尺寸、增強的性能、更多樣的功能和改進的可靠性的器件的需求。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實施例，一種封裝器件包括第一芯片、包裝第一芯片的封裝以及從封裝突出的多個引線，其中多個引線包括不同的非整數(shù)倍引線間距。

根據(jù)實施例，一種用于制造封裝芯片的方法包括：把第一芯片安裝到芯片載體組件上，其中芯片載體組件包括不同的非整數(shù)倍引線間距；把第一芯片連接到芯片載體組件的引線；用包裝物包裝第一芯片；以及把第一包裝芯片分離成個體封裝芯片。

根據(jù)實施例，系統(tǒng)包括：第一芯片；包裝第一芯片的封裝；從封裝突出的第一引線；從封裝突出的第二引線，第一引線和第二引線以第一引線間距布置；從封裝突出的第三引線，第二引線和第三引線以第二引線間距布置；以及從封裝突出的第四引線，第三引線和第四引線以第三引線間距布置，其中第一引線間距是與第二引線間距和第三引線間距不同的非整數(shù)倍，并且其中第二引線間距是與第三引線間距不同的非整數(shù)倍。

附圖說明

為了更全面理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在參考結(jié)合附圖做出的后面的描述，在附圖中：

圖1圖示了通過透孔互連技術(shù)連接到部件載體的封裝芯片的三維圖；

圖2圖示了通過表面安裝技術(shù)（SMD）連接到部件載體的封裝芯片的三維圖；

圖3A圖示了包括具有各種寬度和各種引線間距的引線的封裝芯片的實施例的頂視圖；

圖3B圖示了針對PC板導(dǎo)體的電壓間隔要求；

圖3C圖示了包括具有各種寬度和各種引線間距的引線的封裝芯片的另一實施例的頂視圖；

圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造封裝芯片的方法的流程圖；以及

圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的芯片載體組件的部分的頂視圖，該部分與單個多間距芯片封裝相關(guān)。

具體實施方式

下面詳細地討論目前優(yōu)選的實施例的制作和使用。然而，應(yīng)當意識到的是，本發(fā)明提供了許多適用的發(fā)明構(gòu)思，這些發(fā)明構(gòu)思可以體現(xiàn)在廣泛的各種具體上下文中。所討論的具體實施例僅說明制作和使用本發(fā)明的具體方式，并不限制本發(fā)明的范圍。

封裝不僅可以提供芯片到芯片載體的機械附著，而且還可以提供芯片和引線、焊盤或管腳之間的電連接。封裝芯片可以被分類成多個類別。例如，封裝芯片可以是如圖1中示出的透孔封裝（THP）或如圖2中示出的表面安裝器件（SMD）。

圖1的系統(tǒng)100包括封裝芯片110、設(shè)置在封裝芯片110底側(cè)上的散熱器（散熱塊）120、以及把封裝芯片110電連接到部件載體140的引線或管腳130。

封裝芯片110可以包括設(shè)置在封裝內(nèi)的芯片載體，諸如引線框。引線框包括多個引線130。芯片設(shè)置在引線框的管芯附著物或管芯焊板（die paddle）上。

在一些實施例中，封裝或包裝物包括第一部分80A和第二部分80B。第一部分80A直接設(shè)置在芯片上方。第二部分80B可以被設(shè)置成橫向鄰近芯片。第二部分80B與多個引線130的方向相反，使得芯片設(shè)置在多個引線130和第二部分80B之間。第一部分80A比第二部分80B厚。開口150可以設(shè)置在包裝物內(nèi)。開口150被配置成實現(xiàn)散熱器120的安裝。例如，可以使用穿過開口150安裝的螺釘（出于簡單性原因，螺釘未示出）把散熱器120附著到封裝芯片110。

在各個實施例中，芯片可以是功率芯片，其例如汲取大電流（例如大于30安培）。例如，芯片可以被配置成操作在大約20V到大約1000V處。可替代地，芯片可以被配置成操作在大約20V到大約100V處。在其它實施例中，芯片可以被配置成操作在大約100V到大約500V處。在一個實施例中，芯片可以被配置成操作在大約5V到大約20V處。

在各個實施例中，芯片可以是功率半導(dǎo)體器件，在一個實施例中，該功率半導(dǎo)體器件可以是分立的器件。在一個實施例中，芯片是三端子器件，諸如功率金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MISFET）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）或晶閘管。可替代地，芯片包括集成電路（IC）。