[發明專利]TaCN硬質納米結構薄膜及制備方法

有效

• 申請號: 201410089147.2
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN103952672B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 喻利花;許俊華;黃婷
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種TaCN硬質納米結構薄膜，其特征在于是采用雙靶共焦射頻反應濺射法沉積在硬質合金或陶瓷基體上的，薄膜分子式表示為Ta(C，N)，厚度在1-3μm，當Ta靶功率為100W，C靶功率大于50W時，薄膜中形成了非晶C和CNx。

2.權利要求1所述的TaCN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，利用雙靶共焦射頻反應法在硬質合金或陶瓷基體上沉積得到；沉積時，真空度優于3.0×10^-3Pa,以氬氣起弧，氮氣為反應氣體進行沉積，濺射氣壓0.3Pa、氬氮流量比10:（2-5），Ta靶濺射功率80-150W，C靶濺射功率0-80W。

3.根據權利要求2所述的TaCN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于，在基體上預先沉積純Ta作為過渡層。

4.根據權利要求2所述的TaCN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于Ta靶濺射功率100W，C靶濺射功率為20-80W。

5.根據權利要求2所述的TaCN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于Ta靶濺射功率100W，C靶濺射功率為40-60W。

6.根據權利要求2所述的TaCN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于Ta靶濺射功率100W，C靶濺射功率為50W。