[發明專利]晶片檢測系統、反應腔室及晶片檢測方法有效
| 申請號: | 201410088774.4 | 申請日: | 2014-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN104916560B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 何麗;吳軍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 片槽 反射 晶片檢測 機械手 托盤 標準距離 反射信號 反應腔室 晶片檢測系統 傳感器移動 距離傳感器 發送信號 檢測系統 晶片放置 驅動距離 均勻性 移動 取放 預設 種晶 相等 | ||
本發明提供一種晶片檢測系統、反應腔室及晶片檢測方法,該方法包括:S1,距離傳感器自片槽的正上方水平移動,在其移動的過程中向托盤發送信號;S2,控制單元接收來自托盤或位于片槽中晶片反射的反射信號,并根據晶片反射的反射信號判斷反射距離是否等于標準距離,若等于,則進入S3;若不等于,則進入S5;S3,控制單元驅動距離傳感器移動預設長度,并在移動的過程中判斷當前反射距離與標準距離是否相等,若等于,則進入S4;若不等于,進入S5;S4,確定片槽中的晶片放置準確;S5,確定片槽中的晶片未放置準確。本發明提供晶片檢測方法,可提高工藝的均勻性和晶片與機械手定位的準確性,從而可以提高機械手取放片的效率。
技術領域
本發明屬于半導體設備加工技術領域,具體涉及一種晶片檢測系統、反應腔室及晶片檢測方法。
背景技術
在半導體器件的制造過程中,為提高傳輸晶片的效率和降低人工成本,通常采用機械手傳輸晶片,但是,在采用機械手裝載或者卸載晶片的過程中往往要求機械手和晶片的定位準確,以保證機械手傳輸晶片的準確性。
為此,申請號為02826636.6的專利文件中公開了一種晶片定位方法,用于實現對晶片進行定位。具體地,借助晶片座驅動裝置驅動承載晶片的晶片座移動和旋轉,直線傳感器檢測獲得晶片座上晶片外周邊緣,計算裝置根據該晶片座驅動裝置驅動晶片座旋轉的旋轉角度和直線傳感器檢測晶片座上晶片外周邊緣的檢測結果計算當前晶片的中心位置和切口部分方向,并計算在晶片的中心位置位于給定位置以及切口部分方向在給定方向時晶片座的旋轉軸位置和旋轉角度,借助晶片座驅動裝置驅動晶片座移動、旋轉和停止,以實現對晶片定位,從而實現機械手和晶片定位準確。
上述晶片定位方法是在晶片座上承載的晶片放置準確的前提下,借助晶片座驅動裝置驅動晶片座移動以使晶片相對機械手的位置準確,從而實現對晶片進行定位。但是,在實際應用中,由于機械手在水平或豎直方向上發生偏移,會導致機械手在放片時不能準確地將晶片放置在片槽(即,上述方法中的晶片座)中,因此,在這種情況下,即使采用上述晶片定位方法也不能實現晶片與機械手的準確定位,因而在后續工藝中會造成晶片的工藝均勻性差,從而造成工藝質量差;而且,影響機械手后續取片,從而影響傳輸晶片的效率,并且多次嘗試取片,會對晶片的表面造成損傷。
發明內容
本發明旨在解決現有技術中存在的技術問題,提供了一種晶片檢測系統、反應腔室及晶片檢測方法,不僅可以提高工藝的均勻性,而且可以提高晶片與機械手定位的準確性,從而可以提高機械手取放片的效率,進而可以提高傳輸晶片的效率和避免多次取放片對晶片表面造成損傷。
本發明提供一種晶片檢測系統,包括托盤,所述托盤的上表面上設置有用于承載所述晶片的片槽,且所述托盤的反射率與所述晶片的反射率不同,所述系統還包括:距離傳感器和控制單元,其中:所述距離傳感器設置在所述片槽的正上方,且能夠在所述片槽的正上方水平移動;所述距離傳感器對應所述待檢測的片槽位置在移動過程中向所述托盤發送信號,并接收來自所述托盤或位于所述片槽中的晶片反射的反射信號,且將所述反射信號發送至所述控制單元;所述控制單元根據所述晶片反射的反射信號判斷反射距離是否等于標準距離,若不等于,則確定所述片槽中的所述晶片未放置準確;若等于,則驅動所述距離傳感器移動預設長度,并在移動的過程中判斷當前反射距離與所述標準距離是否相等,若等于,則確定所述片槽中的所述晶片放置準確;若不等于,確定所述片槽中的所述晶片未放置準確;所述標準距離定義為所述晶片準確放置在所述片槽時所述距離傳感器與所述晶片上表面之間的垂直距離。
其中,所述預設長度為在所述距離傳感器沿所述片槽的徑向水平移動的移動軌跡上自所述晶片的邊界位置到下一個邊界位置的長度。
優選地,所述預設長度為所述晶片的直徑長度。
其中,所述晶片檢測系統,還包括旋轉驅動裝置,所述旋轉驅動裝置用于驅動所述托盤沿其軸向旋轉,以使每個所述片槽依次位于所述距離傳感器的正下方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





