[發(fā)明專利]晶片檢測系統(tǒng)、反應(yīng)腔室及晶片檢測方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410088774.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104916560B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何麗;吳軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 片槽 反射 晶片檢測 機(jī)械手 托盤 標(biāo)準(zhǔn)距離 反射信號(hào) 反應(yīng)腔室 晶片檢測系統(tǒng) 傳感器移動(dòng) 距離傳感器 發(fā)送信號(hào) 檢測系統(tǒng) 晶片放置 驅(qū)動(dòng)距離 均勻性 移動(dòng) 取放 預(yù)設(shè) 種晶 相等 | ||
1.一種晶片檢測系統(tǒng),包括托盤,所述托盤的上表面上設(shè)置有用于承載所述晶片的片槽,且所述托盤的反射率與所述晶片的反射率不同,其特征在于,所述系統(tǒng)還包括:距離傳感器和控制單元,其中:
所述距離傳感器設(shè)置在所述片槽的正上方,且能夠在所述片槽的正上方水平移動(dòng);
所述距離傳感器對(duì)應(yīng)待檢測的片槽位置在移動(dòng)過程中向所述托盤發(fā)送信號(hào),并接收來自所述托盤或位于所述片槽中的晶片反射的反射信號(hào),且將所述反射信號(hào)發(fā)送至所述控制單元;
所述控制單元根據(jù)所述晶片反射的反射信號(hào)判斷反射距離是否等于標(biāo)準(zhǔn)距離,若不等于,則確定所述片槽中的所述晶片未放置準(zhǔn)確;若等于,則驅(qū)動(dòng)所述距離傳感器移動(dòng)預(yù)設(shè)長度,并在移動(dòng)的過程中判斷當(dāng)前反射距離與所述標(biāo)準(zhǔn)距離是否相等,若等于,則確定所述片槽中的所述晶片放置準(zhǔn)確;若不等于,確定所述片槽中的所述晶片未放置準(zhǔn)確;
所述標(biāo)準(zhǔn)距離定義為所述晶片準(zhǔn)確放置在所述片槽時(shí)所述距離傳感器與所述晶片上表面之間的垂直距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片檢測系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)設(shè)長度為在所述距離傳感器沿所述片槽徑向水平移動(dòng)的移動(dòng)軌跡上自所述晶片的邊界位置到下一個(gè)邊界位置的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片檢測系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)設(shè)長度為所述晶片的直徑長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片檢測系統(tǒng),其特征在于,所述晶片檢測系統(tǒng),還包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,
所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述托盤沿其軸向旋轉(zhuǎn),以使每個(gè)所述片槽依次位于所述距離傳感器的正下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片檢測系統(tǒng),其特征在于,所述距離傳感器的數(shù)量和位置與所述片槽的數(shù)量和位置一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片檢測系統(tǒng),其特征在于,所述距離傳感器自所述片槽的邊沿的任意位置的正上方沿該片槽的徑向水平移動(dòng)。
7.一種反應(yīng)腔室,其特征在于,包括晶片檢測系統(tǒng),所述晶片檢測系統(tǒng)采用權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的晶片檢測系統(tǒng),用于檢測所述晶片在用于承載該晶片的片槽中是否放置準(zhǔn)確。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述距離傳感器安裝在位于所述反應(yīng)腔室的上蓋上方的導(dǎo)軌上。
9.一種晶片檢測方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟S1,距離傳感器自片槽的正上方水平移動(dòng),在其移動(dòng)的過程中向托盤發(fā)送信號(hào);
步驟S2,控制單元接收來自所述托盤或位于所述片槽中所述晶片反射的反射信號(hào),并根據(jù)所述晶片反射的反射信號(hào)判斷反射距離是否等于標(biāo)準(zhǔn)距離,若等于,則進(jìn)入步驟S3;若不等于,則進(jìn)入步驟S5;
步驟S3,所述控制單元驅(qū)動(dòng)所述距離傳感器移動(dòng)預(yù)設(shè)長度,并在移動(dòng)的過程中判斷當(dāng)前反射距離與標(biāo)準(zhǔn)距離是否相等,若等于,則進(jìn)入步驟S4;若不等于,進(jìn)入步驟S5;
步驟S4,確定所述片槽中的所述晶片放置準(zhǔn)確;
步驟S5,確定所述片槽中的所述晶片未放置準(zhǔn)確。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片檢測方法,其特征在于,在所述步驟S1之前還包括:
步驟S0,驅(qū)動(dòng)所述托盤旋轉(zhuǎn),以使需要檢測的所述片槽位于所述距離傳感器的正下方。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





