[發(fā)明專(zhuān)利]熒光體、發(fā)光裝置及熒光體的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410088682.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104059643A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 福田由美;阿爾貝薩惠子;三石巖 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C09K11/65 | 分類(lèi)號(hào): | C09K11/65;H01L33/50 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 肖靖 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 發(fā)光 裝置 制造 方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)基于在2013年3月18日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2013-055455并要求其優(yōu)先的利益,該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)的實(shí)施方式涉及熒光體、發(fā)光裝置和熒光體的制造方法。
背景技術(shù)
白色發(fā)光裝置包括例如藍(lán)色LED、通過(guò)藍(lán)光的激勵(lì)而發(fā)射紅光的熒光體和通過(guò)藍(lán)光的激勵(lì)而發(fā)射綠光的另一熒光體的組合。但是,如果包含通過(guò)藍(lán)光的激勵(lì)而發(fā)射黃光的熒光體,那么可通過(guò)使用更少種類(lèi)的熒光體來(lái)制造白色發(fā)光裝置。作為黃色發(fā)光熒光體,例如,已知Eu激活的正硅酸鹽熒光體(orthosilicate phosphor)。
已針對(duì)各種應(yīng)用研究了這些黃色發(fā)光熒光體,并且,越來(lái)越要求改善熒光體的溫度特性、量子效率和它們的發(fā)光光譜的半寬度(half-width)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式的目的在于解決如上的技術(shù)問(wèn)題。
根據(jù)實(shí)施方式的熒光體通過(guò)在250nm~500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰值的光的激勵(lì)而發(fā)射在500nm~600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰值的熒光,并該熒光體由下式(1)表達(dá):
(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNvCw (1)
其中,
M是包含Sr的金屬元素,
x、y、z、u、v和w分別滿足以下的條件:
0<x≤1,
0.8≤y≤1.1,
2≤z≤3.5,
0<u≤1.5,
0.01≤w≤0.1,并且
13≤u+v+w≤15。
根據(jù)本實(shí)施方式的黃色發(fā)光熒光體具有良好的溫度特性,并可高度有效地發(fā)射在發(fā)光光譜中具有寬的半寬度的黃光。該熒光體與放射在400~500nm的波長(zhǎng)范圍中具有峰值的光的發(fā)光元件組合使用,并由此變得能夠提供發(fā)光性能優(yōu)異的白色發(fā)光裝置。
附圖說(shuō)明
圖1表示示意性地示出根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光裝置的垂直斷面圖。
圖2表示示意性地示出根據(jù)另一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的垂直斷面圖。
圖3表示由例子1的熒光體給出的XRD圖案。
圖4表示由例子1的熒光體通過(guò)450nm的激勵(lì)而給出的發(fā)光光譜。
圖5表示由例子2的熒光體給出的XRD圖案。
圖6表示由例子3的熒光體給出的XRD圖案。
圖7表示由例子4的熒光體給出的XRD圖案。
圖8表示由例子5的熒光體給出的XRD圖案。
圖9表示由例子1~5和比較例的熒光體通過(guò)450nm的激勵(lì)而給出的發(fā)光光譜。
圖10表示例子1~5和比較例中通過(guò)450nm的激勵(lì)的碳含量(w)與相對(duì)吸收率之間的關(guān)系。
圖11表示例子1~5和比較例中通過(guò)450nm的激勵(lì)的碳含量(w)與相對(duì)量子效率之間的關(guān)系。
圖12表示例子1~5和比較例中通過(guò)450nm的激勵(lì)的碳含量(w)與相對(duì)發(fā)光效率之間的關(guān)系。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在參照附圖解釋實(shí)施方式。
根據(jù)實(shí)施方式的熒光體通過(guò)在250nm~500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰值的光的激勵(lì)而發(fā)射在500nm~600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有峰值的熒光,并該熒光體由下式(1)表達(dá):
(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNvCw (1)
其中,
M是包含Sr的金屬元素,
x、y、z、u、v和w分別滿足以下的條件:
0<x≤1,
0.8≤y≤1.1,
2≤z≤3.5,
0<u≤1.5,
0.01≤w≤0.1,并且
13≤u+v+w≤15。
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