[發明專利]熒光體、發光裝置及熒光體的制造方法

無效

• 申請號: 201410088682.6
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN104059643A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 福田由美;阿爾貝薩惠子;三石巖
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C09K11/65
• 分類號: C09K11/65;H01L33/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 肖靖

1.一種熒光體，該熒光體通過在250nm～500nm的波長范圍內具有峰值的光的激勵而發射在500nm～600nm的波長范圍內具有峰值的熒光，并且該熒光體由下式（1）表達：

(M_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_vC_w (1)

其中，

M是包含Sr的金屬元素，

x、y、z、u、v和w分別滿足以下的條件：

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1，

2≤z≤3.5，

0<u≤1.5，

0.01≤w≤0.1，

13≤u+v+w≤15。

2.根據權利要求1的熒光體，其中，M還包含選自包含Ba、Ca和Mg的組的至少一種元素。

3.根據權利要求1的熒光體，其中，Ba、Ca和Mg的量單獨地為基于M的總量的10at.%或更少。

4.根據權利要求1的熒光體，所述熒光體具有晶格常數從Sr₂Al₃Si₇ON₁₃的晶格常數改變最多±15%的晶體結構。

5.根據權利要求1的熒光體，所述熒光體具有M-N和M-O的化學鍵長度分別從Sr₂Al₃Si₇ON₁₃中的Sr-N和Sr-O的化學鍵長度改變最多±15%的晶體結構。

6.根據權利要求1的熒光體，在根據Bragg-Brendano方法通過Cu-Kα線放射的X射線衍射測量中，在11.1-11.3°、15.0-15.2°、18.25-18.45°、19.75-19.95°、23.0-23.2°、24.85-25.05°、25.55-25.75°、25.95-26.15°、29.3-29.5°、30.9-31.1°、31.6-31.8°、33.0-33.2°、33.6-33.8°、33.95-34.15°、34.35-34.55°、35.2-35.4°、36.05-36.25°、36.5-36.7°、37.2-37.4°、38.95-39.15°、40.45-40.65°、42.8-43.0°、48.3-48.5°、48.75-48.95°、56.4-56.6°、64.45-64.65°、67.55-67.75°和68.85-69.05°的衍射角（2θ）處表現至少10個峰值。

7.一種發光裝置，包括：

發光元件，發射在250nm～500nm的波長范圍內具有峰值的光；和

發光層，包含根據權利要求1所述的熒光體。

8.根據權利要求7的發光裝置，其中，所述發光層還包含綠色發光熒光體和紅色發光熒光體。

9.一種用于制造根據權利要求1所述的熒光體的方法，包括以下的步驟：

混合M材料、Al材料、Si材料以及Ce材料從而制備混合物，其中，所述M材料選自包含M的氮化物和碳化物的組，所述Al材料選自包含Al的氮化物、氧化物和碳化物的組，所述Si材料選自包含Si的氮化物、氧化物和碳化物的組，所述Ce材料選自包含Ce的氧化物、氮化物和碳酸鹽的組；然后，

燒制所述混合物。

10.根據權利要求9的方法，其中，在1500～2000℃的溫度下在5atm或更高的壓力下執行所述燒制的步驟。

11.根據權利要求9的方法，其中，在氮氣氣氛中執行所述燒制的步驟。