[發明專利]粘合片

在審

• 申請號: 201410087004.8
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN104046287A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 本田哲士;龜井勝利;盛田美希;高橋智一
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及粘合片。

背景技術

由硅、鎵、砷等形成的半導體晶圓以大直徑狀態制造，在表面形成圖案后磨削背面，通常將晶圓的厚度磨薄至100～600μm左右，進而切割分離（dicing）為元件小片，進一步轉移至安裝工序。

在磨削半導體晶圓背面的工序（背面磨削工序）中，為了保護半導體晶圓的圖案面而使用粘合片。該粘合片通常在背面磨削工序后被剝離。出于這種目的而使用的粘合片需要在背面磨削工序中不會發生剝離的程度的粘合力，另一方面，要求在背面磨削工序后能夠容易地剝離，以及不損壞半導體晶圓的程度的低粘合力。為了如此調節粘合力，提出了具有將2種以上的樹脂（例如，粘合性樹脂和非粘合性樹脂）共混而形成的粘合劑層的粘合片（專利文獻1）。

但是，將具有由2種以上的樹脂形成的粘合劑層的粘合片貼附于半導體晶圓，并將半導體晶圓供于背面磨削工序時，有這樣的問題：磨削水和/或磨削屑容易侵入粘合片和半導體晶圓之間，存在污染半導體晶圓的擔心。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-62406號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明是為了解決上述現有問題而作出的，其目的在于提供一種粘合片，其在貼附于半導體晶圓并供于半導體晶圓的背面磨削工序時，能夠防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半導體晶圓之間。

用于解決問題的方案

本發明的粘合片具備包含2種以上樹脂的粘合劑層，該粘合劑層中，由利用原子力顯微鏡測定的與被粘物相接觸側的表面的相位圖像獲得的、以相位差為縱軸（y軸）、以測定距離為橫軸（x軸）的第1方向和垂直于該第1方向的第2方向的線輪廓中，第1方向上的相位差的大小（P_1-avg）與第2方向上的相位差的大?。≒_2-avg）之比（P_1-avg/P_2-avg）為0.94～1.06。

優選的實施方式中，構成上述粘合劑層的2種以上的樹脂分別具有共通的構成單元作為主要構成單元。

發明的效果

根據本發明，能夠提供一種粘合片，其在貼附于半導體晶圓并供于半導體晶圓的背面磨削工序時，能夠防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半導體晶圓之間。

附圖說明

圖1是本發明的粘合劑層的由基于原子力顯微鏡的相位圖像而得到的線輪廓。

圖2是本發明的一個實施方式的粘合片的截面示意圖。

附圖標記說明

10???粘合劑層

20???中間層

30???基材層

100??粘合片

具體實施方式

A.粘合劑層

本發明的粘合片具備粘合劑層。該粘合劑層包含2種以上的樹脂，優選的是包含至少1種以上的粘合性樹脂和至少1種以上的非粘合性樹脂。若粘合劑層如此包含2種以上的樹脂，則變得容易調節樹脂的種類和樹脂的含有比例來適當控制粘合力和儲能模量（G’）。

上述粘合劑層在50℃下熟化2天后，將半導體鏡面晶圓（硅制）作為試驗板，利用以JIS?Z0237（2000）為基準的方法（貼合條件：2kg輥往復1次、剝離速度：300mm/min、剝離角度180°）測定的粘合力優選為0.1N/20mm～3.0N/20mm，進一步優選為0.2N/20mm～2.5N/20mm，特別優選為0.2N/20mm～2.0N/20mm。如果為這種范圍，則能夠兼顧粘合力和剝離性，能夠得到例如在半導體晶圓的背面磨削工序中的磨削加工中不剝離，而在磨削加工后能夠容易地剝離的粘合片。