[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及布局設(shè)計系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410086664.4
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN104051360B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 齋藤琢巳;廣井政幸
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L27/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

形成于半導(dǎo)體基板之上的電路設(shè)計區(qū)；以及

布置于所述電路設(shè)計區(qū)周圍的密封環(huán)區(qū)，

所述密封環(huán)區(qū)包括：

第一密封環(huán)角部單元和第二密封環(huán)角部單元；

與所述第一及第二密封環(huán)角部單元耦接的第一密封環(huán)和第二密封環(huán)；以及

與所述第一及第二密封環(huán)耦接的多個第一橋接圖形，

所述第一橋接圖形具有鄰接于所述第一密封環(huán)角部單元且包括按第一間距間隔開的預(yù)定數(shù)量的所述第一橋接圖形的第一分組以及位于與所述第一分組相距第二間距之處且包括按所述第一間距間隔開的預(yù)定數(shù)量的所述第一橋接圖形的第二分組，并且

所述第二間距大于所述第一間距。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一密封環(huán)角部單元包括與所述第一密封環(huán)及所述第二密封環(huán)耦接的第二橋接圖形，

其中所述第二橋接圖形位于與鄰接于所述第二橋接圖形而布置的所述第一分組的所述第一橋接圖形相距第三間距之處，并且

其中所述第三間距小于所述第二間距。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三間距等于所述第一間距。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一橋接圖形還包括布置于所述第二分組與所述第二密封環(huán)角部單元之間的第三分組，

其中所述第三分組包括按照所述第一間距間隔開的且位于與所述第二分組相距第四間距之處的預(yù)定數(shù)量的所述第一橋接圖形，并且

其中所述第四間距大于所述第一間距。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述第一密封環(huán)角部單元與所述第二密封環(huán)角部單元之間的所述第一密封環(huán)和所述第二密封環(huán)平行于所述半導(dǎo)體基板的一邊。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一密封環(huán)、所述第二密封環(huán)、所述第一橋接圖形及所述第二橋接圖形由布線層和通孔來形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間距是鄰接的第一橋接圖形的中心距離，以及所述第三間距是鄰接的第一橋接圖形和第二橋接圖形的中心距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間距和所述第四間距是鄰接的第一橋接圖形的中心距離。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

形成于半導(dǎo)體基板之上的電路設(shè)計區(qū)；以及

布置于所述電路設(shè)計區(qū)周圍的裂紋擴(kuò)展防止區(qū)，

所述裂紋擴(kuò)展防止區(qū)包括：

第一裂紋擴(kuò)展防止角部單元和第二裂紋擴(kuò)展防止角部單元；以及

布置于所述第一裂紋擴(kuò)展防止角部單元與所述第二裂紋擴(kuò)展防止角部單元之間的多個第一虛擬圖形，

所述第一虛擬圖形具有鄰接于所述第一裂紋擴(kuò)展防止角部單元且包括按第一間距間隔開的預(yù)定數(shù)量的所述第一虛擬圖形的第一分組以及位于與所述第一分組相距第二間距之處且包括按所述第一間距間隔開的預(yù)定數(shù)量的所述第一虛擬圖形的第二分組，并且

所述第二間距大于所述第一間距。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一裂紋擴(kuò)展防止角部單元包括鄰接于所述第一分組的所述虛擬圖形而布置的第二虛擬圖形，

其中所述第二虛擬圖形位于與鄰接于所述第二虛擬圖形而布置的所述第一分組的所述第一虛擬圖形相距第三間距之處，并且

其中所述第三間距小于所述第二間距。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三間距等于所述第一間距。