[發(fā)明專利]用于磁記錄的裝置和在兩個(gè)磁性材料之間形成間隙的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410086587.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104050986B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田偉;V·R·印圖瑞;D·林;H·殷;邱教明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號(hào): G11B5/60
• 分類號(hào): G11B5/60
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

本申請(qǐng)公開(kāi)了磁性材料之間的間隙。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種方法可通過(guò)如下實(shí)施：在磁性材料的主磁極層上沉積材料的非磁性間隙層；在材料的非磁性間隙層上沉積材料的犧牲層；蝕刻所述材料的犧牲層的部分，并不完全去除所述材料的犧牲層；并將其他的犧牲材料沉積到所蝕刻的犧牲層。

發(fā)明背景

處理步驟通常用來(lái)形成磁性元件，諸如在盤(pán)驅(qū)動(dòng)器工業(yè)中使用的磁性記錄頭。磁元件的性能可受到取向和相對(duì)于其他磁性元件的分離的影響。因?yàn)榇判栽咏舜?，該情況特別可是真實(shí)的。

發(fā)明概述

提供本概述以采用簡(jiǎn)化形式介紹理論的選擇，該理論在詳細(xì)說(shuō)明中進(jìn)一步描述。本概述并不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)主題的范圍。根據(jù)各種實(shí)施方式的以下更具體的書(shū)面詳細(xì)描述，其他特征、細(xì)節(jié)、使用和所要求保護(hù)主題的優(yōu)點(diǎn)可將變得明顯，所述各種實(shí)施方式在附圖中進(jìn)一步示出并在所附權(quán)利要求中限定。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種在兩磁性材料之間形成實(shí)質(zhì)上均勻間隙的方法可以包括：在磁性材料的主磁極層上沉積材料的非磁性間隙層；蝕刻所述材料的犧牲層的一部分，并同時(shí)不完全去除材料的犧牲層；將其他的犧牲材料沉積到所蝕刻的犧牲層。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種裝置可以包括：磁性材料的主磁極層；主磁極層上面的材料的非磁性間隙層；材料的非磁性間隙層之上蝕刻的材料的第一犧牲層；以及在材料的第一犧牲層上蝕刻材料的第二犧牲層。

這些和各種其它特征將從下面詳細(xì)描述中變得顯而易見(jiàn)。

附圖簡(jiǎn)述

可通過(guò)參考附圖進(jìn)一步地理解本技術(shù)的性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，附圖將在說(shuō)明書(shū)的剩余部分中描述。

圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的實(shí)質(zhì)均勻?qū)懭腴g隙的橫截面的盤(pán)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示例示意圖；

圖2A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，用于形成主磁極的磁性材料的初始層；

圖2B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在磁性材料的初始層上形成的傾斜邊緣；

圖2C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，用于材料的兩個(gè)磁性層之間間隙的材料的初始層；

圖2D示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，用于材料的兩個(gè)磁性層之間間隙的材料的第二層；

圖2E示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，置于初始間隙材料之上的材料的犧牲層；

圖2F示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在已發(fā)生處理后的犧牲層，所述處理建立對(duì)于犧牲層產(chǎn)生不平的表面；

圖2G示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，進(jìn)一步沉積犧牲層材料以對(duì)犧牲層形成均勻的頂表面；

圖2H示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，置于所述犧牲層上的第二磁性體層；

圖3示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成實(shí)質(zhì)均勻的間隙層的方法的流程圖；

圖4示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，形成間隙層的另一實(shí)施例的流程圖；

圖5示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，利用非磁性晶種層的方法的流程圖；

圖6示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，利用非磁性晶種層的另一實(shí)施例的流程圖；

圖7示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的寫(xiě)入磁頭的寫(xiě)入間隙的橫截面，所述寫(xiě)入磁頭在寫(xiě)入間隙中具有至少兩層非磁性材料；

發(fā)明詳述

本文在用于盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的環(huán)境中公開(kāi)當(dāng)前技術(shù)的實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解：本技術(shù)不限于盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)并也可容易地應(yīng)用到其它的技術(shù)系統(tǒng)。

隨著磁性記錄介質(zhì)的面密度增加，越來(lái)越多的信息位被存儲(chǔ)在磁性介質(zhì)上。因此，需要在比之前所用的更小存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)每個(gè)信息位。結(jié)果，盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的寫(xiě)入磁頭需要能記錄磁性介質(zhì)上的位，而不破壞存儲(chǔ)在相鄰位位置的信息。