[發(fā)明專利]用于磁記錄的裝置和在兩個磁性材料之間形成間隙的方法

有效

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• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN104050986B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設計）人: 田偉;V·R·印圖瑞;D·林;H·殷;邱教明
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/60
• 分類號: G11B5/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

1.一種用于磁記錄的裝置，包括：

磁性主磁極；

所述磁性主磁極上面的非磁性間隙層；

在所述非磁性間隙層之上的蝕刻第一犧牲層，以及

直接在所述蝕刻第一犧牲層之上并且與所述蝕刻第一犧牲層相鄰的與所述蝕刻第一犧牲層材料相同的第二犧牲層，

其中所述非磁性間隙層是具有第一間隙層和第二間隙層的多層間隙層。

2.如權利要求1所述的裝置，以及進一步包括：在第二犧牲層之上的前屏蔽層。

3.如權利要求2所述的裝置，進一步包括：磁性主磁極和前屏蔽層之間的實質均勻的間隙。

4.如權利要求1所述的裝置，所述非磁性間隙層的第一間隙層與所述磁性主磁極相鄰且包括釕。

5.如權利要求4所述的裝置，其中所述非磁性間隙層的第二間隙層包括Al₂O₃。

6.如權利要求1所述的裝置，其中所述蝕刻第一犧牲層包括釕。

7.如權利要求1所述的裝置，其中所述蝕刻第一犧牲層是非磁性材料。

8.如權利要求7所述的裝置，其中所述非磁性材料包括Cu。

9.如權利要求1所述的裝置，其中第二犧牲層材料采用非磁性的晶種材料。

10.一種用于磁記錄的裝置，包括：

磁性主磁極；

所述磁性主磁極上面的非磁性間隙層；

在所述非磁性間隙層之上的蝕刻第一犧牲層，以及

直接在所述蝕刻第一犧牲層之上并且與所述蝕刻第一犧牲層相鄰的與所述蝕刻第一犧牲層材料相同的第二犧牲層，

其中所述非磁性間隙層是具有第一間隙層和第二間隙層的多層間隙層，其中所述蝕刻第一犧牲層和所述第二犧牲層都包括NiRu。

11.一種在兩個磁性材料之間形成均勻間隙的方法，所述方法包括：

在磁性材料的主磁極層上沉積材料的非磁性間隙層；

在所述材料的非磁性間隙層上沉積第二材料的犧牲層；

蝕刻所述第二材料的犧牲層的部分，并且不完全去除所述犧牲層；

將其他的第二材料沉積到所蝕刻的犧牲層以形成恢復的犧牲層；以及

在所述恢復的犧牲層上沉積前屏蔽層。

12.如權利要求11所述的方法，以及進一步包括：在所述主磁極層與所述前屏蔽層之間形成實質均勻的間隙。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述非磁性間隙層包括Al₂O₃和/或釕。

14.如權利要求11所述的方法，其中所述第二材料包括釕、NiRu或鎳鉻。

15.如權利要求11所述的方法，其中所述恢復的犧牲層的材料是非磁性的晶種材料，用于第二磁性層，所述第二磁性層沉積在所述恢復的犧牲層上。

16.一種形成寫頭的方法，所述方法包括：

提供具有傾斜邊緣的磁性主磁極；

在所述主磁極上沉積第一非磁性間隙層，包括在所述傾斜邊緣上沉積第一非磁性間隙層；

在所述第一非磁性間隙層上沉積第二非磁性間隙層；

在所述第二非磁性間隙層上沉積第一犧牲層；

蝕刻所述第一犧牲層的部分；

在經蝕刻的犧牲層上沉積第二犧牲層以形成恢復的犧牲層，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層包括相同的材料；以及

在所述恢復的犧牲層上沉積前屏蔽層。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述第一非磁性間隙層包括釕。