[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410086570.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103887235A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 閻長江;徐少穎;李田生;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

目前醫用平板探測器，將穿過人體的X射線轉化為可見光，將光信號轉換為電信號，避免了拍照洗照片的不便，成功的實時呈現物體形貌，圖1為現有技術中采用11道掩膜板制作得到的平板探測器陣列基板的像素區的結構圖，其中，該陣列基板包括玻璃襯底10、柵極11、柵極絕緣層12、半導體有源層13、漏極14、源極15、第一鈍化層16、像素電極17、第二鈍化層18、存儲電容上基板19、第三鈍化層110、位于存儲電容上基板19上的接地金屬層111、樹脂鈍化層112和公共電極113，其中，像素電極17、存儲電容上基板19和公共電極113均為氧化銦錫（Indium?Tin?Oxides，ITO）導電薄膜。漏極14上方的過孔001進行了多次套孔，具體為：第一鈍化層16沉積后需要制作過孔、第二鈍化層18沉積后需要制作過孔、第三鈍化層110沉積后需要制作過孔、樹脂鈍化層112涂覆后需要制作過孔，這樣的多次打孔容易造成像素不良。

圖2（a）與圖2（b）為現有技術中的平板探測器陣列基板周邊引線區的結構圖，圖2（a）中的過孔21和22同樣進行了多次套孔，當在過孔21和22的孔內位置處沉積金屬鋁20時，過孔21處需要刻蝕掉沉積的金屬鋁，會造成金屬鋁下方的ITO的腐蝕，過孔22內沉積的金屬鋁和其下方的ITO粘附性差，后續焊接外界的集成芯片時，容易造成鋁和ITO的脫落，嚴重時，會引起連在一起的內部的ITO松動，進而帶著上方的樹脂一起脫落的現象。同樣地，圖2（b）中的過孔23和24也進行了多次套孔，同樣會造成金屬鋁下方的ITO的腐蝕，以及金屬鋁和其下方的ITO粘附性差的問題。

綜上所述，現有技術中的陣列基板像素區中漏極上方的過孔進行了多次套孔，在實際生產中套孔會產生一定的偏移，樹脂的殘留會造成像素不良；陣列基板周邊引線區中的過孔處也進行了多次套孔，引線區中用作引線的電極采用金屬鋁電極，會造成引線電極區域的ITO腐蝕，以及金屬鋁和其下方的ITO粘附性差，容易造成脫落不良的問題。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，用以降低生產成本，進而保護周邊過孔后續沉積的金屬，避免金屬和樹脂粘附性不良的情況。

本發明實施例提供的一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

依次在襯底基板上制造柵極、柵極絕緣層、半導體有源層、源漏極、第一鈍化層、像素電極、第二鈍化層、存儲電容上基板和第三鈍化層；

在所述第三鈍化層上刻蝕第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔，其中，所述第一過孔位于所述漏極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第二過孔位于所述像素電極上方，貫穿所述第二鈍化層和第三鈍化層，所述第三過孔位于所述存儲電容上基板上方，貫穿所述第三鈍化層，所述第四過孔位于周邊引線區源極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第五過孔位于周邊引線區柵極上方，貫穿所述柵極絕緣層、第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層；

在所述第三鈍化層上沉積金屬層，所述第一過孔和所述第二過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述漏極和所述像素電極電連接，所述第三過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述存儲電容上基板與周邊引線區的接地引線電連接，所述第四過孔內沉積的金屬層用于將周邊引線區的源極與周邊引線區的導線電連接，所述第五過孔內沉積的金屬層用于將周邊引線區的柵極與周邊引線區的導線電連接。

由本發明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于該陣列基板的制造方法包括在所述第三鈍化層上刻蝕第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔，其中，所述第一過孔位于所述漏極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第二過孔位于所述像素電極上方，貫穿所述第二鈍化層和第三鈍化層，所述第三過孔位于所述存儲電容上基板上方，貫穿所述第三鈍化層，所述第四過孔位于周邊引線區源極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第五過孔位于周邊引線區柵極上方，貫穿所述柵極絕緣層、第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔在同一次工藝中制備得到，有效的避免了多次套孔引起的問題，降低生產成本，進而避免了周邊過孔的金屬因源極、漏極刻蝕和ITO刻蝕時，造成的對柵極上方孔內和源極上方孔內的腐蝕。

較佳地，所述在所述第三鈍化層上刻蝕第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔，包括：