[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410086570.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103887235A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 閻長江;徐少穎;李田生;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

依次在襯底基板上制造柵極、柵極絕緣層、半導體有源層、源漏極、第一鈍化層、像素電極、第二鈍化層、存儲電容上基板和第三鈍化層；

在所述第三鈍化層上刻蝕第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔，其中，所述第一過孔位于所述漏極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第二過孔位于所述像素電極上方，貫穿所述第二鈍化層和第三鈍化層，所述第三過孔位于所述存儲電容上基板上方，貫穿所述第三鈍化層，所述第四過孔位于周邊引線區源極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第五過孔位于周邊引線區柵極上方，貫穿所述柵極絕緣層、第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層；

在所述第三鈍化層上沉積金屬層，所述第一過孔和所述第二過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述漏極和所述像素電極電連接，所述第三過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述存儲電容上基板與周邊引線區的接地引線電連接，所述第四過孔內沉積的金屬層用于將周邊引線區的源極與周邊引線區的導線電連接，所述第五過孔內沉積的金屬層用于將周邊引線區的柵極與周邊引線區的導線電連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第三鈍化層上刻蝕第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔，包括：

在所述第三鈍化層上涂覆光刻膠，采用半透膜或灰階掩模曝光，對周邊引線區中柵極上方區域的光刻膠全曝光，源極上方區域的光刻膠半曝光；對像素區中漏極上方區域、像素電極上方區域和存儲電容上基板上方區域的光刻膠半曝光；對其它區域的光刻膠不曝光，采用干法刻蝕得到第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔；或

在所述第三鈍化層上涂覆光刻膠，對周邊引線區中柵極上方區域、源極上方區域；對像素區中漏極上方區域、像素電極上方區域和存儲電容上基板上方區域的光刻膠全曝光，對其它區域的光刻膠不曝光，采用干法刻蝕得到第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述金屬層上制作第四鈍化層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四鈍化層為感光樹脂或非感光樹脂。

5.根據權利要求3-4任一權項所述的方法，其特征在于，所述制作第四鈍化層包括：

在所述金屬層上涂覆樹脂，并對所述樹脂進行熱固化處理，形成第四鈍化層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述第四鈍化層上刻蝕第六過孔，所述第六過孔位于所述漏極上方，貫穿所述第四鈍化層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蝕第六過孔后，所述方法還包括：在所述第四鈍化層上制作公共電極。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述基板包括：

襯底基板、依次位于所述襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體有源層、源漏極、第一鈍化層、像素電極、第二鈍化層、存儲電容上基板、第三鈍化層、金屬層，以及第一過孔、第二過孔、第三過孔、第四過孔和第五過孔；

其中，所述第一過孔位于所述漏極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層；所述第二過孔位于所述像素電極上方，貫穿所述第二鈍化層和第三鈍化層；所述第一過孔和所述第二過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述漏極和所述像素電極電連接；所述第三過孔位于所述存儲電容上基板上方，貫穿所述第三鈍化層，所述第三過孔通過沉積于孔內的金屬層將所述存儲電容上基板與周邊引線區的接地引線電連接；所述第四過孔位于周邊引線區源極上方，貫穿所述第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第四過孔通過沉積于孔內的金屬層將周邊引線區的源極與周邊引線區的導線電連接；所述第五過孔位于周邊引線區柵極上方，貫穿所述柵極絕緣層、第一鈍化層、第二鈍化層和第三鈍化層，所述第五過孔通過沉積于孔內沉積的金屬層將周邊引線區的柵極與周邊引線區的導線電連接。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬層為金屬鋁與金屬鉬的復合金屬層。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求8-9任一權項所述的陣列基板。