[發明專利]磁控濺射鍍膜系統

有效

• 申請號: 201410085940.5
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103866255A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 鄭芳平;張迅;易偉華
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及磁控濺射技術領域，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜系統。

背景技術

磁控濺射鍍膜法是目前鍍膜常采用的一種鍍膜方法。在進行磁控濺射鍍膜之前，需要進行抽氣，以除去雜質氣體和使系統達到一定的真空度。在進行鍍膜時，為了平衡濺射室的壓力，經常會在進片過渡室和出片過渡室充入工藝氣體，使進片過渡室的壓力與濺射室的壓力平衡，出片過渡室的真空度與濺射室的壓力平衡。

然而，目前的磁控濺射鍍膜系統中，為了平衡濺射室的壓力，只能對進片過渡室和出片過渡室持續充氣，會造成氣體的浪費。并且，連續鍍膜時，各個室之間的閥門的經常性開啟和關閉會導致進片室的雜質氣體會進入進片過渡室，再進入濺射室。出片室的雜質氣體會進入出片過渡室，再進入濺射室。而因進片過渡室和出片過渡室持續性地充氣，會導致進片過渡室和出片過渡室無法有效地將雜質氣體抽干凈，不利于工藝的穩定。

發明內容

基于此，有必要提供一種有利于工藝穩定的磁控濺射鍍膜系統。

一種磁控濺射鍍膜系統，包括第一間歇性充氣組件、第二間歇性充氣組件和呈直線式排列的進片室、進片過渡室、進片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室；其中，

所述進片過渡室和進片緩沖室之間設置有第一門閥，所述出片過渡室和出片緩沖室之間設置有第二門閥，所述第一門閥包括第一控制電磁閥，所述第二門閥包括第二控制電磁閥；

所述第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開關、第一間歇性開關電磁閥和第一延時器，所述第一間歇性開關設置于所述進片過渡室上；

所述第二間歇性充氣組件包括第二間歇性開關、第二間歇性開關電磁閥和第二延時器，所述第二間歇性開關設置于所述出片過渡室上；

所述第一間歇性開關電磁閥的開關電線路與所述第一控制電磁閥的開關電線路并聯，所述第一延時器的電線路與所述第一控制電磁閥的開關電線路串聯，所述第二間歇性開關電磁閥的開關線路與所述第二控制電磁閥的開關線路并聯，所述第二延時器的電線路與所述第二控制電磁閥的開關電線路串聯。

在其中一個實施例中，所述濺射室包括依次排列的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室。

在其中一個實施例中，所述第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室中，每個腔室均設置有兩個靶位。

在其中一個實施例中，所述第一腔室和第二腔室均為中頻濺射腔室，所述第三腔室和第四腔室均為直流濺射腔室。

在其中一個實施例中，所述磁控濺射鍍膜系統還包括隔離室，所述隔離室設置于所述第二腔室和第三腔室之間。

在其中一個實施例中，還包括十個加熱器，所述十個加熱器分別設置于所述進片室、進片過渡室、進片緩沖室、第一腔室、第二腔室、隔離室、第三腔室、第四腔室、出片緩沖室和出片過渡室中。

在其中一個實施例中，還包括氣體流量計，所述氣體流量計與所述第一間歇性開關通過氣管連通，所述氣體流量計與所述第二間歇性開關通過氣管連通。

在其中一個實施例中，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機械泵、羅茨泵和分子泵，所述機械泵均與所述進片室、進片過渡室、進片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進片室、進片過渡室、進片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室連通，所述分子泵與所述進片過渡室、進片緩沖室、濺射室、出片緩沖室和出片過渡室連通。

上述磁控濺射鍍膜系統設置了第一間歇性充氣組件和第二間歇性充氣組件。通過將第一間歇性開關電磁閥的開關電線路與第一控制電磁閥的開關電線路并聯及將第一延時器的電線路與第一控制電磁閥的開關電線路串聯，以控制第一門閥關閉時，第一間歇性開關也處于關閉狀態，能夠將進片過渡室的雜質氣體抽干凈，有利于工藝的穩定；并且，在第一門閥打開前幾秒，第一間歇性開關處于打開狀態進行充氣以平衡真空壓力后，再打開第一門閥，有效地解決了氣體的浪費問題。基于相同的原理，第二間隙性充氣組件能夠將出片過渡室的雜質氣體抽干凈，有利于工藝的穩定，并解決了氣體的浪費問題。

附圖說明

圖1為一實施方式的磁控濺射鍍膜系統的結構示意圖；

圖2為圖1所示的磁控濺射鍍膜系統的第一間歇性充氣組件和流量計的結構示意圖。

具體實施方式