[發(fā)明專利]磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410085940.5
• 申請(qǐng)日: 2014-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103866255A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭芳平;張迅;易偉華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西沃格光電股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，包括第一間歇性充氣組件、第二間歇性充氣組件和呈直線式排列的進(jìn)片室、進(jìn)片過(guò)渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過(guò)渡室和出片室；其中，

所述進(jìn)片過(guò)渡室和進(jìn)片緩沖室之間設(shè)置有第一門(mén)閥，所述出片過(guò)渡室和出片緩沖室之間設(shè)置有第二門(mén)閥，所述第一門(mén)閥包括第一控制電磁閥，所述第二門(mén)閥包括第二控制電磁閥；

所述第一間歇性充氣組件包括第一間歇性開(kāi)關(guān)、第一間歇性開(kāi)關(guān)電磁閥和第一延時(shí)器，所述第一間歇性開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述進(jìn)片過(guò)渡室上；

所述第二間歇性充氣組件包括第二間歇性開(kāi)關(guān)、第二間歇性開(kāi)關(guān)電磁閥和第二延時(shí)器，所述第二間歇性開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述出片過(guò)渡室上；

所述第一間歇性開(kāi)關(guān)電磁閥的開(kāi)關(guān)電線路與所述第一控制電磁閥的開(kāi)關(guān)電線路并聯(lián)，所述第一延時(shí)器的電線路與所述第一控制電磁閥的開(kāi)關(guān)電線路串聯(lián)，所述第二間歇性開(kāi)關(guān)電磁閥的開(kāi)關(guān)線路與所述第二控制電磁閥的開(kāi)關(guān)線路并聯(lián)，所述第二延時(shí)器的電線路與所述第二控制電磁閥的開(kāi)關(guān)電線路串聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述濺射室包括依次排列的第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室中，每個(gè)腔室均設(shè)置有兩個(gè)靶位。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一腔室和第二腔室均為中頻濺射腔室，所述第三腔室和第四腔室均為直流濺射腔室。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)還包括隔離室，所述隔離室設(shè)置于所述第二腔室和第三腔室之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括十個(gè)加熱器，所述十個(gè)加熱器分別設(shè)置于所述進(jìn)片室、進(jìn)片過(guò)渡室、進(jìn)片緩沖室、第一腔室、第二腔室、隔離室、第三腔室、第四腔室、出片緩沖室和出片過(guò)渡室中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括氣體流量計(jì)，所述氣體流量計(jì)與所述第一間歇性開(kāi)關(guān)通過(guò)氣管連通，所述氣體流量計(jì)與所述第二間歇性開(kāi)關(guān)通過(guò)氣管連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括機(jī)械泵、羅茨泵和分子泵，所述機(jī)械泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過(guò)渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過(guò)渡室和出片室連通，所述羅茨泵均與所述進(jìn)片室、進(jìn)片過(guò)渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室、出片過(guò)渡室和出片室連通，所述分子泵與所述進(jìn)片過(guò)渡室、進(jìn)片緩沖室、濺射室、出片緩沖室和出片過(guò)渡室連通。