[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410085649.8
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN104465565B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 兼子元;島田慶一;臼井孝公
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/52
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 萬利軍,陳海紅

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

第1接觸插塞，其上端部的直徑尺寸比下端部的直徑尺寸大；

第1絕緣膜，其形成在所述半導體基板上，覆蓋所述第1接觸插塞；

第2接觸插塞，其下端部接合于所述第1接觸插塞的上端部，其上端部的直徑尺寸比下端部的直徑尺寸小；

第2絕緣膜，其形成在所述第1絕緣膜以及所述第1接觸插塞之上，覆蓋所述第2接觸插塞；

布線層，在其下端部接合有所述第2接觸插塞的上端部；和

第3絕緣膜，其形成在所述第2絕緣膜以及所述第2接觸插塞之上，覆蓋所述布線層，

還具備臺階，該臺階形成在所述第1接觸插塞的上端部中的、未被所述第2接觸插塞的下端部所覆蓋的部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

具備在所述臺階部分所形成的空氣間隙，所述空氣間隙的上端的位置比所述第2接觸插塞的頂面的位置低。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述空氣間隙的下端的位置比所述第1接觸插塞的頂面的位置低。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1接觸插塞按交錯狀配置，并且在最接近的所述第1接觸插塞之間配置有所述臺階。

5.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

第3接觸插塞，其形成在所述半導體基板上，其上端部的直徑尺寸比下端部的直徑尺寸大；

第2絕緣膜，其覆蓋所述第3接觸插塞；

布線層，在其下端部接合有所述第3接觸插塞的上端部；和

第3絕緣膜，其形成在所述第2絕緣膜以及所述第3接觸插塞之上，覆蓋所述布線層，

所述第3接觸插塞的上端部的直徑尺寸比所述布線層的布線寬度尺寸大，

在所述第3接觸插塞的上端部的外周的至少一部分形成有空氣間隙。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述空氣間隙形成在所述第3接觸插塞的上端部中的、從所述布線層的下端部超出的部分。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述空氣間隙，在所述布線層延伸的方向上的截面中，形成在所述第3接觸插塞的兩側。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第3接觸插塞的兩側所形成的空氣間隙的底部的位置不同。

9.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

具有勢壘金屬，該勢壘金屬形成于所述第3接觸插塞的上端部的頂面與所述布線層的下端部的底面之間，

所述勢壘金屬延伸設置在所述第3接觸插塞的上端部中的、被所述布線層的下端部所覆蓋的部分的外周。

10.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2絕緣膜具有第1部分(24)和配置在所述第1部分與所述第3接觸插塞之間的第2部分(26)，

所述空氣間隙形成在所述第3接觸插塞的上端部中的、從所述布線層的下端部超出的所述第2部分之上。

11.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

第4接觸插塞，其形成在所述半導體基板上；

第2絕緣膜，其至少覆蓋所述第4接觸插塞的一部分的側面；

布線層，在其下端部接合有所述第4接觸插塞的上端部；和

第3絕緣膜，其形成在所述第2絕緣膜以及所述第4接觸插塞的上方，

至少形成有一個：使所述第4接觸插塞的一個側面和所述布線層的一個側面為同一平面而成的平面，

所述半導體裝置還具備形成在所述布線層之間的空氣間隙。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第4接觸插塞具有上部和下部，在所述布線層延伸的第1方向上的下部的寬度比上部的寬度寬。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述空氣間隙使所述第2絕緣膜的內面以及所述第4接觸插塞的一部分內面露出。

14.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述空氣間隙的上端的位置比所述布線層的頂面的位置高。