[發明專利]形成用于FO-EWLB中電源/接地平面的嵌入導電層的半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201410085270.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN104037124B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 林耀劍;包旭升;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;H01L23/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;胡莉莉

一種半導體器件具有第一導電層和與所述第一導電層相鄰布置的半導體管芯。在所述第一導電層和半導體管芯上沉積密封劑。在所述密封劑、半導體管芯和第一導電層上形成絕緣層。在所述絕緣層上形成第二導電層。將所述第一導電層的第一部分電連接到V_SS并形成接地平面。將所述第一導電層的第二部分電連接到V_DD并形成電源平面。第一導電層、絕緣層和第二導電層構成解耦電容器。在所述絕緣層和第一導電層上形成包括第二導電層的跡線的微帶線。在嵌入虛管芯、互連單元或模塊化PCB單元上提供第一導電層。

要求國內優先權

本申請要求2013年3月8日提交的美國臨時申請號61/774,692的權益，該申請通過引用結合到本文中。

技術領域

本發明一般涉及半導體器件以及，更具體而言，涉及形成嵌入導電面以在扇出式嵌入晶片級球柵陣列（Fo-eWLB）中提供電源/接地平面的半導體器件和方法。

背景技術

在現代電子產品中常發現半導體器件。半導體器件在電子部件的數目和密度方面不同。分立半導體器件一般含有一種類型的電子部件，例如，發光二極管（LED）、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器和功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。集成半導體器件通常含有數百到數十萬的電子部件。集成半導體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件（CCD）、太陽能電池和數字微鏡器件（DMD）。

半導體器件執行廣泛的功能，例如信號處理、高速計算、發射和接收電磁信號、控制電子器件、將太陽光轉化為電力，以及為電視顯示器創建視覺投影。在娛樂、通信、功率轉換、網絡、計算機和消費產品的領域中發現半導體器件。也在軍事應用、航空、汽車、工業控制器和辦公設備中發現半導體器件。

半導體器件利用半導體材料的電學屬性。半導體材料的結構允許通過電場或基極電流的施加或通過摻雜的過程來操縱其導電性。摻雜將雜質引入到半導體材料中，以操縱和控制的半導體器件的導電性。

半導體器件包含有源和無源電學結構。有源結構，包括雙極場效應晶體管，控制電流的流動。通過改變摻雜水平以及電場或基極電流的施加，晶體管促進或限制電流的流動。無源結構，包括電阻器、電容器和電感器，創建執行各種電學功能所必需的電壓和電流之間的關系。無源和有源結構被電連接以形成電路，這使半導體器件能夠執行高速操作和其他有用的功能。

一般使用兩個復雜的制造過程來制造半導體器件，即前端制造和后端制造，每一個都潛在地涉及數百個步驟。前端制造涉及半導體晶片的表面上多個管芯的形成。每個半導體管芯通常是相同的，并且包含通過電連接有源和無源部件所形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片單切（singulate）各個半導體管芯，并將管芯封裝以提供結構支撐和環境隔離。如本文所使用的術語“半導體管芯”是指該詞語的單數和復數兩種形式，并因此既可以指代單個半導體器件也可以指代多個半導體器件。

半導體制造的一個目標是生產更小的半導體器件。更小的器件通常消耗更少的功率，具有更高的性能，并且可以被更有效地生產。此外，更小的半導體器件具有更小的覆蓋區（footprint），這是為更小的終端產品所期望的。更小的半導體管芯尺寸可以通過產生具有更小、更高密度的有源和無源部件的半導體管芯的前端過程中的改進來實現。通過電互連和封裝材料中的改進，后端過程可以產生具有更小覆蓋區的半導體器件封裝。