[發明專利]形成用于FO-EWLB中電源/接地平面的嵌入導電層的半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201410085270.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN104037124B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 林耀劍;包旭升;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;H01L23/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;胡莉莉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

與所述半導體管芯相鄰地布置第一接地平面；

在所述第一接地平面和半導體管芯上沉積密封劑；以及

在所述第一接地平面、半導體管芯和密封劑上方形成導電層，其中所述導電層包括，從所述第一接地平面電耦合到電壓參考電路節點的導電跡線，以及直接在所述第一接地平面上形成的信號跡線。

2.權利要求1的方法，進一步包括在所述第一接地平面上的所述導電層中形成電源網絡。

3.權利要求1的方法，進一步包括：

在所述第一接地平面和半導體管芯上形成絕緣層；以及

形成包括所述第一接地平面、絕緣層和導電層的解耦電容器。

4.權利要求1的方法，進一步包括：

提供虛管芯；以及

在所述虛管芯上形成所述第一接地平面。

5.權利要求1的方法，進一步包括在所述半導體管芯的表面上形成第二接地平面。

6.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供導電平面；

在載體上布置所述導電平面；

在所述載體上與所述導電平面相鄰地布置半導體管芯；

在半導體管芯和導電平面的第一表面上沉積密封劑；

在沉積密封劑后移除所述載體；以及

在所述導電平面、半導體管芯以及密封劑上形成導電層，其中所述導電層包括：直接在與所述導電平面的所述第一表面相對的所述導電平面的第二表面上方延伸并電連接到所述半導體管芯的第一導電跡線，以及與所述第一導電跡線分離并且將所述導電平面耦合到電壓參考電路節點的第二導電跡線。

7.權利要求6的方法，進一步包括：提供包括所述導電平面的襯底和穿過所述襯底形成的多個垂直互連結構。

8.權利要求6的方法，進一步包括：

在所述導電平面和所述半導體管芯上形成絕緣層；以及

在所述絕緣層上形成微帶線。

9.權利要求6的方法，其中提供所述導電平面作為圖案化引線框架、圖案化的銅箔、包括圖案化的銅的樹脂涂覆的帶、或包括圖案化的銅的預浸料的一部分。

10.一種半導體器件，包括：

半導體管芯；

與所述半導體管芯相鄰布置的接地平面；

沉積在所述接地平面的第一表面上的密封劑；以及

形成在與所述接地平面的第一表面相對的所述接地平面的第二表面上方的導電層，并且所述導電層包括：電連接到所述半導體管芯并在所述接地平面上方延伸的第一導電跡線；以及 形成在所述接地平面上方的第二導電跡線。

11.權利要求10的半導體器件，進一步包括襯底，所述襯底包括與所述半導體管芯相鄰布置的穿過所述襯底形成的多個垂直互連結構。

12.權利要求11的半導體器件，其中所述接地平面在所述襯底上形成。

13.權利要求10的半導體器件，進一步包括與所述半導體管芯相鄰布置的虛管芯，其中在所述虛管芯上形成所述接地平面。

14.權利要求10的半導體器件，進一步包括：

在所述接地平面和導電層之間布置的絕緣層；以及

包括所述接地平面、絕緣層和部分所述導電層的解耦電容器。