[發(fā)明專利]VDMOS的制造方法和VDMOS

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410083225.8
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104900526B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬萬里;聞?wù)h
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：

在N型外延層上依次生成柵氧化層、多晶硅層、P-體區(qū)；

在所述P-體區(qū)注入N型雜質(zhì)形成N型源區(qū)，所述N型源區(qū)包括N-源區(qū)和N+源區(qū)；所述N+源區(qū)位于所述柵氧化層與N-源區(qū)之間；

在所述多晶硅層和所述柵氧化層上依次形成氧化層、P+區(qū)、介質(zhì)層、接觸孔和金屬層，以使得所述金屬層分別與所述N-源區(qū)、N+源區(qū)、柵氧化層、氧化層、介質(zhì)層中每層的側(cè)面以及所述P+區(qū)相連接；

其中，形成所述接觸孔的過程，包括：

采用預(yù)置工藝流程形成所述接觸孔的原始接觸孔結(jié)構(gòu)；

采用氫氟酸對所述原始接觸孔的側(cè)壁進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述N+源區(qū)表面覆蓋的部分所述柵氧化層、所述氧化層和所述介質(zhì)層，以在所述接觸孔的側(cè)壁上所述N+源區(qū)所在位置形成凸臺結(jié)構(gòu)；

將包含所述凸臺結(jié)構(gòu)的所述原始接觸孔結(jié)構(gòu)作為最終的所述接觸孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P-體區(qū)注入N型雜質(zhì)形成N-源區(qū)和N+源區(qū)，包括：

在所述P-體區(qū)注入磷離子形成N-源區(qū)；

在所述P-體區(qū)中注入砷離子形成N+源區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述P-體區(qū)注入N型雜質(zhì)形成N-源區(qū)時，注入的N型雜質(zhì)為磷離子，注入劑量為1.0E13～1.0E14個/cm²，注入能量為100kEV～150KEV。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述N-源區(qū)中再次注入N型雜質(zhì)形成N+源區(qū)時，注入的N型雜質(zhì)為砷離子，注入劑量為1.0E15～1.0E16個/cm²，注入能量為100kEV～150KEV。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，在形成所述接觸孔之后，且形成所述金屬層之前，還包括：

在所述接觸孔中注入P型雜質(zhì)，以在所述P-體區(qū)中形成第一P+型區(qū)。