[發明專利]集成電路裝置及制造半導體與存儲器裝置的方法

有效

• 申請號: 201410082784.7
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104134669B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種制造半導體裝置的方法，包括下列步驟：

形成多個有源層，所述有源層包括一有源材料，且于一襯底上與絕緣層交錯；

刻蝕與絕緣層交錯的所述有源層，以定義有源層帶的多個疊層，所述有源層帶具有側表面且于所述襯底上與絕緣層帶交錯；以及

于包括所述有源材料的所述有源層帶內引發晶體成長；

其中所述襯底具有一單晶表面，所述單晶表面具一晶體位向，所述晶體成長步驟至少在所述有源層帶接近側表面處形成具有所述晶體位向的結晶材料；所述有源材料包括多晶硅，所述多晶硅在所述晶體成長步驟前具有一平均晶粒尺寸，所述晶體成長步驟增加所述平均晶粒尺寸；所述有源層帶具有小于10納米的第一寬度，增加后的所述平均晶粒尺寸具有至少40納米的第二寬度。

2.根據權利要求1所述的方法，更包括：

形成電荷儲存結構于所述有源層帶的所述疊層之上，其中所述電荷儲存結構與所述疊層中所述有源層帶的側表面接觸；

形成導線于所述電荷儲存結構之上，所述導線正交排列于所述疊層中所述有源層帶之上；

其中存儲單元設置在所述有源層帶的側表面與所述導線交叉處的接口區域內，所述存儲單元在所述有源層帶內具有通道區。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶體成長步驟包括在所述襯底上及所述疊層上沉積一種子層，其中所述種子層與所述疊層內所述有源層帶的側表面接觸，且所述種子層接觸所述襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶體成長步驟包括以熱能退火。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶體成長步驟包括將所述有源層帶內的所述有源材料從一第一狀態轉變成一第二狀態。

6.一種集成電路裝置，包括：

一襯底；

有源層帶的多個疊層，所述有源層帶具有側表面且與絕緣層帶在襯底上交錯，其中所述有源層帶包括一結晶材料；

一雙柵極存儲單元，包括具有相對的第一與第二側表面的通道主體、電荷儲存結構以及一柵極結構，通道主體位于有源層帶的所述疊層內的一有源層帶內，所述電荷儲存結構位于第一與第二側表面之上，所述柵極結構伏于所述電荷結構上，所述柵極結構沿著第一與第二側表面具有一寬度，使所述有源層帶內的結晶材料沿著第一與第二側表面的一方向的一晶粒尺寸大于所述柵極結構的所述寬度，其中所述方向為電流流經所述有源層帶的方向。

7.根據權利要求6所述的集成電路裝置，其中沿第一與第二側表面的所述方向內的所述有源層帶的所述結晶材料的晶粒尺寸大于100納米。

8.根據權利要求6所述的集成電路裝置，更包括：

電荷儲存結構，形成于有源層帶的所述疊層之上，其中所述電荷儲存結構與所述疊層中有源層帶的側表面接觸；

導線，形成于所述電荷儲存結構之上，且正交排列于所述疊層的有源層帶之上；

其中存儲單元設置在有源層帶的側表面與所述導線交叉處的接口區域內，所述存儲單元在有源層帶內具有通道區。

9.根據權利要求8所述的集成電路裝置，其中所述疊層內的有源層帶作為字線，且所述導線作為位線。

10.一種制造存儲器裝置的方法，包括下列步驟：

形成有源層帶的多個疊層，有源層帶包括一有源材料，具有側表面且于一襯底上與絕緣層交錯；

在有源層帶的所述疊層間形成多個有源材料的垂直層帶，其中位于有源層帶及其中一個垂直層帶間的所述有源材料包括裝置的存儲單元的通道區，以及；

于通道區引發原位晶體成長。