[發(fā)明專利]一種多晶碘化汞薄膜籽晶層的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410082226.0
• 申請(qǐng)日: 2014-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN103820851A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許崗;谷智;南瑞華;李高宏;陳衛(wèi)星;王素敏;王奇觀;馮啟蒙;郭炎飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B28/04
• 分類號(hào): C30B28/04;C30B29/12
• 代理公司: 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.一種多晶碘化汞薄膜籽晶層的制備方法，依次包括下述步驟：

a、基片的準(zhǔn)備：裁割I(lǐng)TO或TFT玻璃制成基片，按照常規(guī)處理方法得到潔凈光滑的基片；

b、反應(yīng)溶液的制備：在超凈條件下，首先將HI酸（優(yōu)級(jí)純）加入水電阻率為18MΩ的高純?nèi)ルx子水中進(jìn)行稀釋，稀釋至HI在水中的濃度為20%~30%，并將稀釋過的HI酸置于帶有攪拌功能的恒溫制備裝置中進(jìn)行攪拌；然后稱取高純（4N）黃色氧化汞（HgO）粉末，將HgO粉末按照[Hg²⁺]：[I^-]=1：(2~8)的摩爾濃度比緩慢的加入恒溫制備裝置中；最后在制備裝置中加入高純度去離子水，使HgO在溶液中濃度范圍為20~50g/L，形成反應(yīng)溶液體系，溶液配好后繼續(xù)攪拌0.5~1h后結(jié)束；

c、液相沉積：將潔凈的基片水平放入溶液底部進(jìn)行沉積生長，液相沉積過程中，生長環(huán)境溫度為20~80℃，沉積時(shí)間為0.5h~72h，達(dá)到計(jì)劃的沉積時(shí)間后用移液管小心的將剩余殘液從制備裝置中移出，然后取出生長好的基片，此時(shí)基片上有已有一層紅色的多晶碘化汞籽晶層；

d、籽晶層處理：將生長好的多晶碘化汞籽晶層放入恒溫干燥箱中，在氮?dú)鈿夥障潞銣馗稍?~2h，然后在真空條件下保存。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶碘化汞薄膜籽晶層的制備方法，其特征在于：所述步驟b的制備裝置中磁轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)速度為200~500rpm。