[發明專利]一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法

在審

• 申請號: 201410081345.4
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103915329A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 高雪超;田鳳美;康磊杰;李志輝;李文濤
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

技術領域

本發明屬于單晶硅太陽能電池生產制作技術領域，具體涉及到磷擴散后的外觀異常片及PECVD后產生的外觀異常片的處理方法。

背景技術

目前產業化的單晶硅太陽能電池生產流程包括制絨、擴散、PECVD、絲網印刷、分檢包裝五個步驟，但是在擴散和PECVD兩道工序中產品均不可能達到100%的良品率，對于在這過程中產生異常硅片按照以往的方法是，先使用高濃度氧氣進行氧化，然后使用HF進行清洗，最后再使用擴散爐進行補擴散處理，絲網印刷后得到的電池片效率嚴重偏低，而且外觀不良比例極高，部分電池片根本不能銷售，只能進行報廢處理，進而增大了生產成本。

發明內容

本發明的目的是提供一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，采用本處理方法經過絲網印刷后最終得到效率、外觀均正常的電池片，極大地降低了效率低于10%的電池片比例，進而降低了生產成本。

本發明提供的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，包括如下步驟：

（1）將磷擴散后的外觀異常片或PECVD后產生的外觀異常片進行HF浸泡，使硅片表面無肉眼可見臟物，并處于疏水狀態；

（2）將HF浸泡過的硅片放到溢流純水槽中進行清洗，將純水清洗后的硅片進行快速脫水干燥處理；

（3）將脫水干燥處理后的硅片放到NaOH溶液中，將硅片表面N層區域腐蝕掉，并使之形成新的金字塔絨面；

（4）將經過堿腐蝕的硅片依次進行HCl和H₂O₂混合溶液清洗、純水清洗、HF清洗、純水清洗，然后進行快速脫水干燥處理；

（5）將脫水干燥處理后的硅片裝入石英舟，進擴散爐使用薄片擴散工藝進行磷擴散。

本發明步驟（1）中磷擴散后的外觀異常片使用質量濃度為5-6%的HF浸泡，PECVD后的外觀異常片使用質量濃度為8-9%的HF浸泡。

本發明步驟（2）中使用甩干機進行快速脫水干燥處理，甩干機的轉速為500-800r/min，甩干機的加熱溫度設置在100-120℃。

本發明步驟（3）中NaOH的質量濃度為1.5-2%，溶液溫度穩定控制在80-84℃。

本發明步驟（4）中使用的HCl與HF的質量濃度為3.5-4.5%；純水清洗時處于溢流狀態，溢流速度為8-12L/min；使用甩干機進行快速脫水干燥處理，甩干機的轉速為500-800r/min，甩干機的加熱溫度設置在100-120℃。

本發明步驟（5）中薄片擴散工藝的三氯氧磷載體流量控制在800-900sccm。

本發明是將過程中產生的異常片先使用HF進行表面清洗處理，使硅片達到疏水狀態，然后再使用NaOH溶液將硅片表面PN結的N層腐蝕掉同時再次生成均勻的金字塔絨面，此時的異常片不再有PN結，與正常硅片相比只是厚度偏薄，因此需要使用薄片擴散工藝進行擴散。本發明可以保證擴散以及PECVD工序中產生的各種異常片最終的效率較正常片不低于0.08%，并且不會有較多的報廢片產生。本發明提供了磷擴散和PECVD兩個生產環節產生的所有外觀異常片的有效處理方法，大大降低了生產過程中的不良率，進而降低了生產成本。

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步說明。

附圖說明

圖1為本發明實施例1提供的磷擴散后方阻異常片的處理流程圖；

圖2為本發明實施例2提供的磷擴散后燒焦片的處理流程圖；

圖3為本發明實施例3、4提供的PECVD失敗片的處理流程圖。

具體實施方式

以下實施例僅用于闡述本發明，而本發明的保護范圍并非僅僅局限于以下實施例。所述技術領域的普通技術人員依據以上本發明公開的內容和各參數所取范圍，均可實現本發明的目的。

實施例1

如圖1所示，本發明實施例1提供一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，包括如下步驟：

（1）將磷擴散后的方阻異常片、燒焦片單片裝到花籃中，使用質量濃度5%的HF浸泡5min，然后取出在溢流的純水槽中浸泡2min；

（2）清洗后的硅片在15min內進行甩干處理，甩干機的轉速設置為600r/min，甩干機的加熱溫度設置在120℃；

（3）甩干后的硅片送到制絨車間使用質量濃度為1.5%的NaOH溶液，在82℃進行重制絨，制絨時間為14min，硅片表面的N層區域腐蝕掉并形成均勻金字塔絨面；