[發明專利]一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法

在審

• 申請號: 201410081345.4
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103915329A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 高雪超;田鳳美;康磊杰;李志輝;李文濤
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，包括如下步驟：

（1）將磷擴散后的外觀異常片或PECVD后產生的外觀異常片進行HF浸泡，使硅片表面無肉眼可見臟物，并處于疏水狀態；

（2）將HF浸泡過的硅片放到溢流純水槽中進行清洗，將純水清洗后的硅片進行快速脫水干燥處理；

（3）將脫水干燥處理后的硅片放到NaOH溶液中，將硅片表面N層區域腐蝕掉，并使之形成新的金字塔絨面；

（4）將經過堿腐蝕的硅片依次進行HCl和H₂O₂混合溶液清洗、純水清洗、HF清洗、純水清洗，然后進行快速脫水干燥處理；

（5）將脫水干燥處理后的硅片裝入石英舟，進擴散爐使用薄片擴散工藝進行磷擴散。

2.根據權利要求1所述的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，其特征在于：步驟（1）中磷擴散后的外觀異常片使用質量濃度為5-6%的HF浸泡，PECVD后的外觀異常片使用質量濃度為8-9%的HF浸泡。

3.根據權利要求1所述的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，其特征在于：步驟（2）中使用甩干機進行快速脫水干燥處理，甩干機的轉速為500-800r/min，甩干機的加熱溫度設置在100-120℃。

4.根據權利要求1所述的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，其特征在于：步驟（3）中NaOH的質量濃度為1.5-2%，溶液溫度穩定控制在80-84℃。

5.根據權利要求1所述的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，其特征在于：步驟（4）中使用的HCl與HF的質量濃度為3.5-4.5%；純水清洗時處于溢流狀態，溢流速度為8-12L/min；使用甩干機進行快速脫水干燥處理，甩干機的轉速為500-800r/min，甩干機的加熱溫度設置在100-120℃。

6.根據權利要求1所述的一種單晶硅電池絲網印刷前的非正常片的處理方法，其特征在于：步驟（5）中薄片擴散工藝的三氯氧磷載體流量控制在800-900sccm。