[發(fā)明專利]電阻模塊的SPICE電路仿真模型、SPICE仿真方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410080881.2 | 申請日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN103838927B | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 于明 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 模塊 spice 電路 仿真 模型 方法 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及電路仿真技術領域，特別是涉及一種電阻模塊的SPICE電路仿真模型、SPICE仿真方法和裝置。
背景技術
在現(xiàn)有的SPICE（Simulation program with integrated circuit emphasis）仿真系統(tǒng)中，當建立關于多段電阻串聯(lián)或并聯(lián)的電阻模塊的仿真模型時，只是相應地采用多個單段電阻仿真模型塊進行串聯(lián)或并聯(lián)來建立，然而在這樣的電阻仿真模型中，每一個所述單段電阻仿真模型塊只能各自地反映出其對應單段電阻的物理參數(shù)和電學性質(zhì)，并不能反映出單段電阻之間的相對物理位置和電性關系。
因此，需要提出一種新的電阻模塊的SPICE電路仿真模型、SPICE仿真方法和裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例解決的技術問題是提供一種新的電阻模塊的SPICE電路仿真模型、SPICE仿真方法和裝置，以更好地反映實際電路中多段電阻之間的相對物理位置和電性關系，從而獲得更為精確的電路仿真結果。
本發(fā)明的實施例提供了一種電阻模塊的SPICE電路仿真模型，所述仿真模型包括：與所述電阻模塊中每一段電阻對應的本征電阻模型塊，所述本征電阻模型塊之間的連接關系與所述電阻模塊中電阻之間的連接關系一致；每一個所述本征電阻模型塊包括一個體電阻、分別與所述體電阻連接的兩個頭電阻和兩個對地的寄生電容，所述體電阻和所述兩個頭電阻串聯(lián)，所述兩個對地的寄生電容的分別和所述體電阻的兩端連接，構成π型電阻電容結構；所述電阻模塊包含至少兩段電阻；所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型還包括段間寄生電容，所述段間寄生電容耦接于相鄰的本征電阻模型塊的體電阻的端點之間。
可選地，所述電阻模塊中任意兩個電阻之間的連接關系為串聯(lián)或并聯(lián)。
本發(fā)明的實施例還提供了一種SPICE仿真方法，所述仿真方法包括：獲取電阻模塊的SPICE電路仿真模型，所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型包括：與所述電阻模塊中每一段電阻對應的本征電阻模型塊，所述本征電阻模型塊之間的連接關系與所述電阻模塊中電阻之間的連接關系一致；每一個所述本征電阻模型塊包括一個體電阻、分別與所述體電阻連接的兩個頭電阻和兩個對地的寄生電容，所述體電阻和所述兩個頭電阻串聯(lián)，所述兩個對地的寄生電容的分別和所述體電阻的兩端連接，，構成π型電阻電容結構；所述電阻模塊包含至少兩段電阻；所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型還包括段間寄生電容，所述段間寄生電容耦接于相鄰的本征電阻模型塊的體電阻的端點之間；獲取所述電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)，所述電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)包括相鄰本征電阻模型塊的體電阻之間的距離、所述電阻模塊中電阻的段數(shù)和電阻之間的連接關系；根據(jù)所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型和電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)進行SPICE仿真。
可選地，所述電阻模塊中任意兩個電阻之間的連接關系為串聯(lián)或并聯(lián)。
本發(fā)明的實施例還提供了一種SPICE仿真裝置，所述仿真裝置包括：仿真模型獲取單元，用于獲取電阻模塊的SPICE電路仿真模型，所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型包括：與所述電阻模塊中每一段電阻對應的本征電阻模型塊，所述本征電阻模型塊之間的連接關系與所述電阻模塊中電阻之間的連接關系一致；每一個所述本征電阻模型塊包括一個體電阻、分別與所述體電阻連接的兩個頭電阻和兩個對地的寄生電容，所述體電阻和所述兩個頭電阻串聯(lián)，所述兩個對地的寄生電容的分別和所述體電阻的兩端連接，，構成π型電阻電容結構；所述電阻模塊包含至少兩段電阻；所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型還包括段間寄生電容，所述段間寄生電容耦接于相鄰的本征電阻模型塊的體電阻的端點之間；仿真參數(shù)獲取單元，用于獲取所述電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)，所述電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)包括相鄰本征電阻模型塊的體電阻之間的距離、所述電阻模塊中電阻的段數(shù)和電阻之間的連接關系；仿真處理單元，用于根據(jù)所述電阻模塊的SPICE電路仿真模型和電阻模塊的SPICE仿真參數(shù)進行SPICE仿真。
可選地，所述電阻模塊中任意兩個電阻之間的連接關系為串聯(lián)或并聯(lián)。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例的技術方案具有以下優(yōu)點：
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經(jīng)上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410080881.2/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
