[發(fā)明專(zhuān)利]芯片位置校準(zhǔn)工具及校準(zhǔn)方法、化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410080828.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103805962A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭修鋒;解毅;何雅彬;朱義黨;胡可綠;王華鈞;忻圣波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/44 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 張亞利;駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 位置 校準(zhǔn) 工具 方法 化學(xué) 沉積 反應(yīng) | ||
1.一種芯片位置校準(zhǔn)工具,其特征在于,用于芯片在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室中位置的校準(zhǔn),設(shè)置于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室的加熱器上,加熱器頂面具有用于放置芯片的第一凹槽,第一凹槽的側(cè)壁為斜面,第一凹槽的開(kāi)口邊界大于底面邊界,所述開(kāi)口邊界與底面邊界均為圓形;
所述工具包括相對(duì)的第一表面和第二表面,第一表面為平面,第二表面具有第二凹槽,第二凹槽底面與第一凹槽底面相對(duì)且加熱器頂部被第二凹槽所容納,第一表面具有至少三條位于同一個(gè)圓形上的弧線段,所述圓形的邊界與第一凹槽的底面邊界大小相等;
所述工具具有貫穿于第一表面和第二凹槽底面的至少三個(gè)在圓形上的通孔,底面邊界與第一表面平行,在芯片位置校準(zhǔn)工具的位置符合要求時(shí),通孔露出的第一凹槽底面邊界將至少三條所述弧線段首尾連接構(gòu)成圓形。
2.如權(quán)利要求1所述的工具,其特征在于,所述工具為圓環(huán)形片狀。
3.如權(quán)利要求1所述的工具,其特征在于,第二凹槽底面與第一表面平行,且第一表面與第二凹槽底面之間的距離為2mm~3mm。
4.如權(quán)利要求1所述的工具,其特征在于,所述通孔為圓形通孔,所述至少三個(gè)通孔的孔徑相同,通孔的孔徑范圍為大于等于0且小于等于第一凹槽斜面寬度的120%~150%。
5.如權(quán)利要求2所述的工具,其特征在于,加熱器還包括若干個(gè)芯片支撐件;第一凹槽底面具有若干個(gè)貫孔,芯片支撐件可移動(dòng)插設(shè)于貫孔,所述工具包括外圓環(huán)和內(nèi)圓環(huán),芯片支撐件的移動(dòng)軌跡在工具的內(nèi)圓環(huán)內(nèi)。
6.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室,其特征在于,包括:
加熱器;
設(shè)置在加熱器頂部如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的芯片位置校準(zhǔn)工具。
7.一種芯片位置校準(zhǔn)方法,其特征在于,包括:
提供一化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室,腔室具有加熱器;
將權(quán)利要求1~5任一所述的芯片位置校準(zhǔn)工具安裝在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室的加熱器頂部,且調(diào)整芯片位置校準(zhǔn)工具至從第一表面上能夠看到一個(gè)完整的圓形;
向工具的第一表面的弧線段圍成的區(qū)域放置芯片,芯片位置符合要求。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410080828.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)電路及位置檢測(cè)方法
- 位置估計(jì)設(shè)備、位置估計(jì)方法、以及位置估計(jì)系統(tǒng)
- 位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)方法及位置檢測(cè)程序
- 位置辨識(shí)裝置、位置辨識(shí)系統(tǒng)以及位置辨識(shí)方法
- 位置指示器、位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)電路以及位置檢測(cè)方法
- 位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)系統(tǒng)以及位置檢測(cè)方法
- 位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)系統(tǒng)以及位置檢測(cè)方法
- 位置檢測(cè)裝置、位置檢測(cè)方法以及位置檢測(cè)系統(tǒng)
- 位置估計(jì)方法、位置估計(jì)裝置、以及位置估計(jì)系統(tǒng)
- 位置檢測(cè)方法、位置檢測(cè)裝置以及位置檢測(cè)系統(tǒng)





