[發(fā)明專(zhuān)利]芯片位置校準(zhǔn)工具及校準(zhǔn)方法、化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410080828.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103805962A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭修鋒;解毅;何雅彬;朱義黨;胡可綠;王華鈞;忻圣波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/44
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/54
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張亞利;駱蘇華

1.一種芯片位置校準(zhǔn)工具，其特征在于，用于芯片在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室中位置的校準(zhǔn)，設(shè)置于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室的加熱器上，加熱器頂面具有用于放置芯片的第一凹槽，第一凹槽的側(cè)壁為斜面，第一凹槽的開(kāi)口邊界大于底面邊界，所述開(kāi)口邊界與底面邊界均為圓形；

所述工具包括相對(duì)的第一表面和第二表面，第一表面為平面，第二表面具有第二凹槽，第二凹槽底面與第一凹槽底面相對(duì)且加熱器頂部被第二凹槽所容納，第一表面具有至少三條位于同一個(gè)圓形上的弧線段，所述圓形的邊界與第一凹槽的底面邊界大小相等；

所述工具具有貫穿于第一表面和第二凹槽底面的至少三個(gè)在圓形上的通孔，底面邊界與第一表面平行，在芯片位置校準(zhǔn)工具的位置符合要求時(shí)，通孔露出的第一凹槽底面邊界將至少三條所述弧線段首尾連接構(gòu)成圓形。

2.如權(quán)利要求1所述的工具，其特征在于，所述工具為圓環(huán)形片狀。

3.如權(quán)利要求1所述的工具，其特征在于，第二凹槽底面與第一表面平行，且第一表面與第二凹槽底面之間的距離為2mm～3mm。

4.如權(quán)利要求1所述的工具，其特征在于，所述通孔為圓形通孔，所述至少三個(gè)通孔的孔徑相同，通孔的孔徑范圍為大于等于0且小于等于第一凹槽斜面寬度的120%～150%。

5.如權(quán)利要求2所述的工具，其特征在于，加熱器還包括若干個(gè)芯片支撐件；第一凹槽底面具有若干個(gè)貫孔，芯片支撐件可移動(dòng)插設(shè)于貫孔，所述工具包括外圓環(huán)和內(nèi)圓環(huán)，芯片支撐件的移動(dòng)軌跡在工具的內(nèi)圓環(huán)內(nèi)。

6.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室，其特征在于，包括：

加熱器；

設(shè)置在加熱器頂部如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的芯片位置校準(zhǔn)工具。

7.一種芯片位置校準(zhǔn)方法，其特征在于，包括：

提供一化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室，腔室具有加熱器；

將權(quán)利要求1～5任一所述的芯片位置校準(zhǔn)工具安裝在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室的加熱器頂部，且調(diào)整芯片位置校準(zhǔn)工具至從第一表面上能夠看到一個(gè)完整的圓形；

向工具的第一表面的弧線段圍成的區(qū)域放置芯片，芯片位置符合要求。