[發明專利]芯片位置校準工具及校準方法、化學氣相沉積反應腔室

有效

• 申請號: 201410080828.2
• 申請日: 2014-03-06
• 公開（公告）號: CN103805962A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 鄭修鋒;解毅;何雅彬;朱義黨;胡可綠;王華鈞;忻圣波
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/54
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張亞利;駱蘇華

1.一種芯片位置校準工具，其特征在于，用于芯片在化學氣相沉積反應腔室中位置的校準，設置于化學氣相沉積反應腔室的加熱器上，加熱器頂面具有用于放置芯片的第一凹槽，第一凹槽的側壁為斜面，第一凹槽的開口邊界大于底面邊界，所述開口邊界與底面邊界均為圓形；

所述工具包括相對的第一表面和第二表面，第一表面為平面，第二表面具有第二凹槽，第二凹槽底面與第一凹槽底面相對且加熱器頂部被第二凹槽所容納，第一表面具有至少三條位于同一個圓形上的弧線段，所述圓形的邊界與第一凹槽的底面邊界大小相等；

所述工具具有貫穿于第一表面和第二凹槽底面的至少三個在圓形上的通孔，底面邊界與第一表面平行，在芯片位置校準工具的位置符合要求時，通孔露出的第一凹槽底面邊界將至少三條所述弧線段首尾連接構成圓形。

2.如權利要求1所述的工具，其特征在于，所述工具為圓環形片狀。

3.如權利要求1所述的工具，其特征在于，第二凹槽底面與第一表面平行，且第一表面與第二凹槽底面之間的距離為2mm～3mm。

4.如權利要求1所述的工具，其特征在于，所述通孔為圓形通孔，所述至少三個通孔的孔徑相同，通孔的孔徑范圍為大于等于0且小于等于第一凹槽斜面寬度的120%～150%。

5.如權利要求2所述的工具，其特征在于，加熱器還包括若干個芯片支撐件；第一凹槽底面具有若干個貫孔，芯片支撐件可移動插設于貫孔，所述工具包括外圓環和內圓環，芯片支撐件的移動軌跡在工具的內圓環內。

6.一種化學氣相沉積反應腔室，其特征在于，包括：

加熱器；

設置在加熱器頂部如權利要求1～5任一項所述的芯片位置校準工具。

7.一種芯片位置校準方法，其特征在于，包括：

提供一化學氣相沉積反應腔室，腔室具有加熱器；

將權利要求1～5任一所述的芯片位置校準工具安裝在化學氣相沉積反應腔室的加熱器頂部，且調整芯片位置校準工具至從第一表面上能夠看到一個完整的圓形；

向工具的第一表面的弧線段圍成的區域放置芯片，芯片位置符合要求。