[發明專利]無摻雜GeSn量子阱的金屬氧化物半導體場效應晶體管無效
| 申請號： | 201410080145.7 | 申請日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN103811557A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 劉艷;韓根全;劉明山 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/24 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 gesn 量子 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 | ||
1.一種無摻雜GeSn量子阱的?p?型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，包括：
一基底，其上生長有半導體材料；
一?溝道，為單晶GeSn材料，其通式為Ge1-xSnx（0<x<0.20）,未經摻雜，位于所述半導體材料上；
一絕緣介電質薄膜，位于所述溝道上；
一柵電極，覆蓋在所述絕緣介電質薄膜上；
一源極與一漏極，分別位于所述柵電極的兩側；
第一絕緣間隙壁，位于所述柵極和源極之間，隔開柵極和源極；
第二絕緣間隙壁，位于所述柵極和漏極之間，隔開柵極和漏極;
所述半導體材料的禁帶寬度比溝道GeSn大，所述溝道GeSn的厚度為3-15nm，形成價帶帶階，將空穴限制在量子阱。
2.如權利要求1所述的無摻雜GeSn量子阱的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，基底上生長的半導體材料采用Ge或SiGe。
3.如權利要求1所述的無摻雜GeSn量子阱的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，基底上利用外延生長技術或者鍵合技術生長所述半導體材料。
4.如權利要求1所述的無摻雜GeSn量子阱的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中基底是半導體材料，或者絕緣體材料。
5.如權利要求1所述的無摻雜GeSn量子阱的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中溝道單晶GeSn材料是利用外延生長技術或者利用鍵合技術生長在半導體材料上。
6.如權利要求1-5之任一項所述的無摻雜GeSn量子阱的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中源極和漏極的材料是NiGeSn合金材料。
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