[發明專利]TCAT結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201410079448.7 | 申請日： | 2014-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN103904035A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 吳華強;王博;錢鶴 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tcat 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種TCAT結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底，并在所述襯底上形成襯墊層；
在所述襯墊層頂部光刻出源線圖案并刻蝕出凹槽；
在所述凹槽中淀積第一材料以形成源線犧牲層；
在所述襯墊層之上交替淀積第二材料和第三材料以形成絕緣層和控制柵犧牲層的疊層結構；
在所述疊層結構中形成多個垂直刻蝕孔，所述垂直刻蝕孔的底部與所述源線犧牲層接觸；
向所述多個垂直刻蝕孔中填充多晶硅以形成多個垂直導電通道；
在所述疊層結構中刻蝕中央溝槽，以將所述控制柵犧牲層的側面暴露出來；
去除所述控制柵犧牲層；
淀積形成電荷俘獲復合層，所述電荷俘獲復合層覆蓋所述絕緣層和所述導電通道的表面；
去除所述源線犧牲層；
淀積金屬柵極材料以形成控制柵極以及金屬源線。
2.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，采用第一腐蝕液濕法刻蝕去除所述控制柵犧牲層，其中，所述第一腐蝕液對所述第三材料的腐蝕速率大于對所述第二材料的腐蝕速率，并且大于對所述多晶硅的腐蝕速率。
3.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，采用第二腐蝕液濕法刻蝕去除所述源線犧牲層，其中，所述第二腐蝕液對所述第一材料的腐蝕速率大于對所述電荷俘獲復合層的腐蝕速率。
4.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，所述淀積形成電荷俘獲復合層包括：依次淀積電荷隧穿層材料、電荷存儲層材料和電荷阻擋層材料。
5.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，所述第一材料為氧化鋁或氧化銅。
6.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，所述第二材料為二氧化硅。
7.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，所述第三材料為氮化硅。
8.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，俯視所述垂直刻蝕孔呈圓形。
9.根據權利要求1所述的TCAT結構的形成方法，其特征在于，所述金屬柵極材料為鎢。
10.一種TCAT結構，其特征在于，是通過權利要求1-9中任一項所述的方法制得的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
