[發(fā)明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410078899.9
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN103811307B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 高超;江紅;王哲獻
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括存儲區(qū)、邏輯區(qū)和電容區(qū)；

在所述電容區(qū)半導體襯底表面形成掩膜層；

刻蝕所述掩膜層，直至暴露出半導體襯底表面，使得刻蝕后的掩膜層與半導體襯底形成第一凹槽；

在所述第一凹槽底部和側壁、以及掩膜層表面形成側墻膜；

回刻蝕去除位于掩膜層表面和半導體襯底表面的側墻膜，保留形成緊挨掩膜層側壁的側墻，所述側墻與半導體襯底形成第二凹槽；

在所述掩膜層表面、以及第二凹槽底部和側壁形成第一介質層；

在所述存儲區(qū)半導體襯底表面形成字線多晶硅層的同時，形成覆蓋于所述第一介質層的第一多晶硅膜；

去除位于掩膜層表面的第一多晶硅膜和第一介質層，形成第一多晶硅層；

去除所述掩膜層，暴露出電容區(qū)半導體襯底表面；

在所述第一多晶硅層表面形成第二介質層；

在所述邏輯區(qū)形成柵極的同時，在所述第二介質層表面和電容區(qū)半導體襯底表面形成第二多晶硅膜，并對所述第二多晶硅膜進行刻蝕，暴露出側墻一側的半導體襯底表面和部分第一多晶硅層表面，形成覆蓋剩余第二介質層的第二多晶硅層，且所述第二多晶硅層還覆蓋側墻的側壁。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：在所述電容區(qū)半導體襯底內形成淺槽隔離結構；在所述淺槽隔離結構表面形成側墻；在所述第二介質層表面和淺槽隔離結構表面形成多晶硅膜，并對所述多晶硅膜進行刻蝕；所述第一多晶硅層、第二介質層和第二多晶硅層構成PIP電容器。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：在所述電容區(qū)半導體襯底內形成摻雜阱，所述摻雜阱由淺槽隔離結構與半導體襯底的其他區(qū)域隔離；在所述摻雜阱表面形成側墻；在所述第二介質層表面和摻雜阱表面形成多晶硅膜，并對所述多晶硅膜進行刻蝕；所述摻雜阱、第一介質層和第一多晶硅層構成MOS電容器，第一多晶硅層、第二介質層和第二多晶硅層構成PIP電容器。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述第一多晶硅層表面形成第一導電插塞，所述第一導電插塞與所述第一多晶硅層電連接；在所述第二多晶硅層表面形成第二導電插塞，所述第二導電插塞與第二多晶硅層電連接。

5.根據權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述摻雜阱表面形成阱導電插塞，所述阱導電插塞與摻雜阱電連接。