[發(fā)明專利]P-BiCS結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410078622.6
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN103904034A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳華強(qiáng);王博;錢鶴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/8247
• 分類號(hào): H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，并在所述襯底上形成襯墊層；

在所述襯墊層頂部光刻出管形通道圖案并刻蝕出凹槽；

在所述凹槽中淀積第一材料以形成管形通道犧牲層；

在所述襯墊層之上交替淀積第二材料和第三材料以形成絕緣層和控制柵犧牲層的疊層結(jié)構(gòu)；

在所述疊層結(jié)構(gòu)中形成垂直刻蝕孔，所述垂直刻蝕孔的底部與所述管形通道犧牲層的端部接觸；

去除所述管形通道犧牲層，以使所述管形通道犧牲層兩端的所述垂直刻蝕孔連通；

填充多晶硅以形成U形導(dǎo)電通道；

在所述疊層結(jié)構(gòu)中刻蝕中央溝槽，以將所述U形導(dǎo)電通道的兩個(gè)垂直段的各自周圍的所述疊層結(jié)構(gòu)分隔開；

去除所述控制柵犧牲層；

淀積形成電荷俘獲復(fù)合層，所述電荷俘獲復(fù)合層覆蓋所述絕緣層和所述U形導(dǎo)電通道的兩個(gè)垂直段的表面；

淀積金屬柵極材料以形成控制柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用第一腐蝕液濕法刻蝕去除所述管形通道犧牲層，其中，所述第一腐蝕液對(duì)所述第一材料的腐蝕速率大于對(duì)所述第二材料的腐蝕速率，并且大于對(duì)所述第三材料的腐蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用第二腐蝕液濕法刻蝕去除所述控制柵犧牲層，其中，所述第二腐蝕液對(duì)所述第三材料的腐蝕速率大于對(duì)所述第二材料的腐蝕速率，并且大于對(duì)所述多晶硅的腐蝕速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述淀積形成電荷俘獲復(fù)合層包括：依次淀積電荷隧穿層材料、電荷存儲(chǔ)層材料和電荷阻擋層材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一材料為氧化鋁或氧化銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二材料為二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三材料為氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，俯視所述垂直刻蝕孔呈圓形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P-BiCS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述金屬柵極材料為鎢。

10.一種P-BiCS結(jié)構(gòu)，其特征在于，是通過權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法制得的。