[發明專利]顯示器件、薄膜晶體管、顯示器件的制造方法、以及薄膜晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201410078469.7
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN104064566A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齊藤信美;坂野龍則;前田雄也;山口一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求2013年3月19日提交的日本專利申請號No.2013-057377的優先權的權益，該申請的全部內容通過引用結合于此。

技術領域

本文中所描述的實施例一般涉及顯示器件、薄膜晶體管、顯示器件的制造方法、以及薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

存在使用非晶氧化物半導體的薄膜晶體管。通過例如在室溫下濺射在大面積上，這種氧化物半導體可均勻地形成為薄膜。在可視區域中，氧化物半導體是透射的。氧化物半導體可形成在具有較差耐熱性的塑料膜基板上。藉此，可獲得柔性和透明的薄膜晶體管。對于使用氧化物半導體的薄膜晶體管，期望高可靠性。

附圖說明

圖1A和圖1B是示出根據第一實施例的薄膜晶體管的示意性截面圖；

圖2A至圖2H是示出根據第一實施例的薄膜晶體管的制造方法的按照工藝次序的示意性截面圖；

圖3A和圖3B是示出薄膜晶體管的特性的圖；

圖4A和圖4B是示出根據第二實施例的薄膜晶體管的示意性截面圖；

圖5A至圖5H是示出根據第二實施例的薄膜晶體管的制造方法的按照工藝次序的示意性截面圖；

圖6是示出根據第三實施例的顯示器件的示意圖；

圖7是示出根據第三實施例的顯示器件的示意性截面圖；

圖8是示出根據第四實施例的顯示器件的示意性截面圖；

圖9是示出根據第五實施例的薄膜晶體管的制造方法的流程圖；

圖10是示出根據第五實施例的薄膜晶體管的另一種制造方法的流程圖；

圖11是示出根據第五實施例的薄膜晶體管的另一種制造方法的流程圖；以及

圖12是示出根據第六實施例的顯示器件的制造方法的流程圖。

具體實施方式

根據一個實施例，顯示器件包括基板單元、薄膜晶體管、像素電極、以及顯示層?；鍐卧ǎ夯?設置在基板上的第一絕緣層，該第一絕緣層具有第一氫濃度；以及設置在第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層具有比第一氫濃度高的第二氫濃度。薄膜晶體管設置在基板單元上。薄膜晶體管包括：設置在第二絕緣層上的柵電極；具有包含選自銦、鎵、和鋅中的至少一種的氧化物的半導體層，該半導體層在從基板到第二絕緣層的堆疊方向上與柵電極分開，該半導體層具有第一部分、在與堆疊方向垂直的第一方向上與第一部分分開的第二部分、以及設置在第一部分和第二部分之間的第三部分；設置在柵電極和半導體層之間的柵極絕緣層；電連接到選自第一部分和第二部分中的一個的第一導電部分；電連接到選自第一部分和第二部分中的另一個的第二導電部分；以及覆蓋半導體層的除第一部分和第二部分以外的部分的第三絕緣層。像素電極連接到選自薄膜晶體管的第一導電部分和第二導電部分中的一個。顯示層被配置成具有根據提供給像素電極的電荷而發生的光發射或者選自吸收率、反射率、散射性、折射性、以及光學旋轉性中的至少一個光學特性的變化。

根據一個實施例，薄膜晶體管包括：基板；設置在基板上的第一絕緣層，該第一絕緣層具有第一氫濃度；設置在第一絕緣層上的第二絕緣層， 該第二絕緣層具有比第一氫濃度高的第二氫濃度；設置在第二絕緣層上的柵電極；具有包含選自銦、鎵、和鋅中的至少一種的氧化物的半導體層，該半導體層在從基板到第二絕緣層的堆疊方向上與柵電極分開，該半導體層具有第一部分、在與堆疊方向垂直的第一方向上與第一部分分開的第二部分、以及設置在第一部分和第二部分之間的第三部分；設置在柵電極和半導體層之間的柵極絕緣層；電連接到選自第一部分和第二部分中的一個的第一導電部分；電連接到選自第一部分和第二部分中的另一個的第二導電部分；以及覆蓋半導體層的除第一部分和第二部分以外的部分的第三絕緣層。