[發(fā)明專利]顯示器件、薄膜晶體管、顯示器件的制造方法、以及薄膜晶體管的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410078469.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN104064566A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齊藤信美;坂野龍則;前田雄也;山口一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種顯示器件，包括：

基板單元，所述基板單元包括：

基板；

設(shè)置在所述基板上的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一氫濃度；以及

設(shè)置在所述第一絕緣層上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有比所述第一氫濃度高的第二氫濃度；

設(shè)置在所述基板單元上的薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括：

設(shè)置在所述第二絕緣層上的柵電極；

具有包含選自銦、鎵、和鋅中的至少一種的氧化物的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層在從所述基板到所述第二絕緣層的堆疊方向上與所述柵電極分開，所述半導(dǎo)體層具有第一部分、在與所述堆疊方向垂直的第一方向上與所述第一部分分開的第二部分、以及設(shè)置在所述第一部分和所述第二部分之間的第三部分；

設(shè)置在所述柵電極和所述半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣層；

電連接到選自所述第一部分和所述第二部分中的一個(gè)的第一導(dǎo)電部分；

電連接到選自所述第一部分和所述第二部分中的另一個(gè)的第二導(dǎo)電部分；以及

覆蓋所述半導(dǎo)體層的除所述第一部分和所述第二部分以外的部分的第三絕緣層；

連接到選自所述薄膜晶體管的所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分中的一個(gè)的像素電極；以及

顯示層，配置成具有根據(jù)提供給所述像素電極的電荷而發(fā)生的光發(fā)射或者選自吸收率、反射率、散射性、折射性、以及光學(xué)旋轉(zhuǎn)性中的至少一個(gè)光學(xué)特性的變化。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二絕緣層的折射率小于所述第一絕緣層的折射率。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二絕緣層的密度小于所述第一絕緣層的密度。

4.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第一絕緣層包含氮化硅或氮氧化硅，

所述第二絕緣層包含氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅，并且

所述第二絕緣層的折射率小于所述第一絕緣層的折射率。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述柵極絕緣層的氫濃度低于所述第二氫濃度。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第三絕緣層的氫濃度低于所述第二氫濃度。

7.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第一絕緣層包含氮化硅，

所述第二絕緣層包含氧化硅，并且

所述柵極絕緣層包含氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第三絕緣層包含氧化硅。

9.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述柵電極部署在所述半導(dǎo)體層和所述基板單元之間，

所述柵電極具有與垂直于所述堆疊方向的平面相交的側(cè)面，并且

所述柵極絕緣層覆蓋所述側(cè)面。

10.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述半導(dǎo)體層部署在所述柵電極和所述基板單元之間，

所述半導(dǎo)體層具有與垂直于所述堆疊方向的平面相交的側(cè)面，并且

所述第三絕緣層覆蓋所述側(cè)面。

11.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度不小于10納米且不大于1000納米。

12.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度不小于10納米且不大于500納米。

13.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括非晶部分。

14.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述半導(dǎo)體層的外邊緣在被投影到垂直于所述堆疊方向的平面上時(shí)位于所述柵電極的外邊緣的內(nèi)側(cè)上。

15.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，

所述第一氫濃度不小于1×10²¹/cm³且不大于5×10²²/cm³，

所述第二氫濃度不小于2×10²¹/cm³且不大于5×10²²/cm³，并且高于所述第一氫濃度。