[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410078414.6
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN104037167A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H-J·巴爾特;R·曼科普夫;T·邁爾;S·阿爾貝斯;A·奧古斯丁;C·米勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾移動(dòng)通信有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容總地涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在三維（3D）芯片堆疊體中，兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片可堆疊在彼此的頂部上。堆疊體中的相鄰芯片可經(jīng)由接口彼此電耦合。接口的物理設(shè)計(jì)可以根據(jù)給定的標(biāo)準(zhǔn)而被預(yù)先確定或固定。例如，接口的幾何尺寸，例如長(zhǎng)度、寬度、焊盤間距等，可由標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。例如，隨著在半導(dǎo)體技術(shù)中的增加的規(guī)模，芯片尺寸可接近或變得甚至小于接口的規(guī)定幾何尺寸。例如，芯片可具有比由標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的接口的長(zhǎng)度小的長(zhǎng)度。在這種情況下，修改芯片以適合于部分地較大的接口可能是合乎需要的。

發(fā)明內(nèi)容

提供了半導(dǎo)體器件，其可包括：半導(dǎo)體芯片；從半導(dǎo)體芯片的邊界橫向延伸的延伸層；布置在延伸層和半導(dǎo)體芯片的至少一側(cè)上的再分布層，其中再分布層將半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)接觸部電耦合到接口的至少一個(gè)接觸部，其中接口的至少一部分橫向地延伸超出半導(dǎo)體芯片的邊界。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標(biāo)記通常在不同的視圖中始終指相同的部件。附圖不一定按比例，相反重點(diǎn)通常在于說明本發(fā)明的原理。在下面的描述中，參考下面的附圖描述了各種方案，其中：

圖1是常規(guī)三維（3D）邏輯-存儲(chǔ)器堆疊體的橫截面視圖；

圖2是在一般“寬I/O”DRAM存儲(chǔ)器上的標(biāo)準(zhǔn)化JEDEC“寬I/O”的平面圖；

圖3是示出增加小邏輯芯片的芯片尺寸以適合于“寬I/O”接口的常規(guī)方法的平面圖；

圖4是根據(jù)本文描述的一個(gè)或多個(gè)方案的半導(dǎo)體器件的例子的平面圖，該半導(dǎo)體器件包括從半導(dǎo)體器件的第一半導(dǎo)體芯片的邊界橫向延伸的延伸層；

圖5是包括從第一半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)的橫向側(cè)延伸的延伸層的半導(dǎo)體器件的例子的平面圖；

圖6是包括從第一半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)橫向側(cè)延伸的延伸層的半導(dǎo)體器件的例子的平面圖；

圖7是半導(dǎo)體器件的例子的平面圖，該半導(dǎo)體器件包括用于使布置在第一半導(dǎo)體芯片的邊界外部的接口連接改線（reroute）到第一半導(dǎo)體芯片的邊界內(nèi)部的導(dǎo)電接觸部的再分布層；

圖8是被配置為三維（3D）邏輯-存儲(chǔ)器堆疊體的半導(dǎo)體器件的例子的橫截面視圖；

圖9是半導(dǎo)體器件的例子的橫截面視圖，該半導(dǎo)體器件包括布置在第一半導(dǎo)體芯片的背面和正面之上的再分布層和用于使接口連接改線的穿通過孔；

圖10是半導(dǎo)體器件的例子的平面圖，該半導(dǎo)體器件包括布置在第一半導(dǎo)體芯片的背面和正面上的再分布層和用于使接口連接改線的穿通過孔。

具體實(shí)施方式

下面的詳細(xì)描述涉及通過舉例說明示出本公開內(nèi)容的特定細(xì)節(jié)和方案的附圖，在本公開內(nèi)容中，本發(fā)明可被實(shí)施。本公開內(nèi)容的這些方案被足夠詳細(xì)地描述以使本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。本公開內(nèi)容的其它方案可被利用，且結(jié)構(gòu)、邏輯和電氣變化可被做出而不偏離本發(fā)明的范圍。本公開內(nèi)容的各種方案不一定是相互排他的，因?yàn)楸竟_內(nèi)容的一些方案可與本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)其它方案組合以形成新的方案。

在本文中用于描述“在”側(cè)面或表面“之上”形成特征（例如層）的短語“在……之上”可用于意指該特征（例如該層）可“直接”布置或形成在所指的（implied）側(cè)面或表面“上”，例如與所指的側(cè)面或表面直接接觸。在本文中用于描述“在”側(cè)面或表面“之上”形成特征（例如層）的短語“在……之上”可用于意指該特征（例如該層）可“間接”布置或形成在所指的側(cè)面或表面“上”，有一個(gè)或多個(gè)額外的層布置在所指的側(cè)面或表面和所形成的層之間。

術(shù)語“耦合”和/或“電耦合”和/或“連接”和/或“電連接”在本文中用于描述一個(gè)特征連接到至少一個(gè)其它所指的特征，并不打算意指該特征和至少一個(gè)其它所指的特征必須直接耦合或連接在一起；介于中間的特征可設(shè)置在該特征和至少一個(gè)其它所指的特征之間。

術(shù)語“至少一個(gè)”和“一個(gè)或多個(gè)”可被理解為包括大于或等于一的任何整數(shù)，即，“一”、“二”、“三”、“四”等。

術(shù)語“多個(gè)”可被理解為包括大于或等于二的任何整數(shù)，即，“二”、“三”、“四”、“五”等。

如在本文中使用的術(shù)語“標(biāo)準(zhǔn)化”可例如被理解為意指“根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)”或“由標(biāo)準(zhǔn)定義”，例如根據(jù)由標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)、主體或組織例如JEDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程會(huì)議）等開發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)或由該標(biāo)準(zhǔn)定義。