[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410078414.6
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN104037167A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H-J·巴爾特;R·曼科普夫;T·邁爾;S·阿爾貝斯;A·奧古斯丁;C·米勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾移動(dòng)通信有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體芯片；

延伸層，其從所述半導(dǎo)體芯片的邊界橫向延伸；

再分布層，其布置在所述延伸層和所述半導(dǎo)體芯片的至少一側(cè)之上，其中所述再分布層將所述半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)接觸部電耦合到接口的至少一個(gè)接觸部，其中所述接口的至少一部分橫向延伸超出所述半導(dǎo)體芯片的所述邊界。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接口的所述至少一個(gè)接觸部至少部分地布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述邊界的外部。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接口是標(biāo)準(zhǔn)化接口。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述標(biāo)準(zhǔn)化接口是標(biāo)準(zhǔn)化芯片到芯片接口。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述標(biāo)準(zhǔn)化接口包括標(biāo)準(zhǔn)化幾何尺寸。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)度小于所述標(biāo)準(zhǔn)化接口的長(zhǎng)度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述延伸層由不同于所述半導(dǎo)體芯片的材料構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述再分布層包括與所述接口的、至少部分地布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述邊界的外部的至少一個(gè)接觸部相耦合的至少一個(gè)接觸部。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述再分布層還包括與所述接口的、布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述邊界的內(nèi)部的至少一個(gè)接觸部相耦合的至少一個(gè)接觸部。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述再分布層布置在所述半導(dǎo)體芯片的背面之上。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述延伸層布置在所述半導(dǎo)體芯片的、位于所述半導(dǎo)體芯片和所述再分布層之間的所述背面之上。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述延伸層包括使所述半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)接觸部與所述再分布層電耦合的至少一個(gè)穿通過孔。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述再分布層包括布置在所述半導(dǎo)體芯片的第一側(cè)之上的第一部分和布置在所述半導(dǎo)體芯片的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)之上的第二部分。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述再分布層的所述第一部分包括與所述接口的、至少部分地布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述邊界的外部的至少一個(gè)接觸部相耦合的至少一個(gè)接觸部，

其中所述延伸層包括使所述再分布層的所述第一部分與所述再分布層的所述第二部分電耦合的至少一個(gè)穿通過孔。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述半導(dǎo)體芯片包括布置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二側(cè)之上并與所述再分布層的所述第二部分電耦合的至少一個(gè)接觸部。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一側(cè)是所述半導(dǎo)體芯片的背面，而所述第二側(cè)是所述半導(dǎo)體芯片的正面。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述延伸層至少部分地包封所述半導(dǎo)體芯片。

18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體芯片是第一半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體器件還包括具有所述接口的第二半導(dǎo)體芯片，其中所述第二半導(dǎo)體芯片經(jīng)由所述接口電耦合到所述第一半導(dǎo)體芯片。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一半導(dǎo)體芯片是邏輯芯片，且所述第二半導(dǎo)體芯片是存儲(chǔ)器芯片。

20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，還包括布置在所述第二半導(dǎo)體芯片的背離所述第一半導(dǎo)體芯片的一側(cè)之上并且電耦合到所述第二半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)額外的半導(dǎo)體芯片。