[發明專利]一種多端口寄存器堆存儲單元在審
| 申請號： | 201410077924.1 | 申請日： | 2014-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN103915108A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發明（設計）人： | 虞志益;張星星;李毅;熊保玉;韓軍;張章;韓軍;程旭;曾曉洋 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | G11C7/18 | 分類號： | G11C7/18;G11C7/00 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多端 寄存器 存儲 單元 | ||
【權利要求書】：
1.?一種多端口寄存器堆存儲單元，其特征在于，由8個NMOS管和2個PMOS管構成，其中，4個NMOS管和2個PMOS管構成耦合反相器，用于存儲數據，另外4個NMOS管為讀寫晶體管，其布局布線方式為：對應于所述寄存器堆存儲單元的具有N阱，多晶硅層，有源區層，CT和M1的版圖；故該寄存器堆單元，具有上下對稱和左右對稱的結構。
2.?根據權利要求1所述的寄存器堆存儲單，其特征在于：同一行存儲單元共享讀或寫晶體管的柵端，同一列存儲單元共享讀或寫晶體管的漏端。
3.?根據權利要求1所述的寄存器堆存儲單元，其特征在于：構成耦合反相器的6個晶體管只采用兩條多晶硅柵。
4.?根據權利要求1所述的寄存器堆存儲單元，其特征在于：耦合反相器中的兩個PMOS晶體管共用漏端有源區，耦合反相器中的四個NMOS管和四個讀寫晶體管共用源端有源區。
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