[發(fā)明專利]基底分離裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410076306.5
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN104149474B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李承俊;李榮佑;金俊亨
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: B32B38/10
• 分類號: B32B38/10
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018
• 代理人: 李文穎,周艷玲

1.一種分離彼此接觸的第一基底和第二基底的裝置，該裝置包括：

上傳送部件，所述上傳送部件固定所述第一基底并沿由彼此垂直相交的X軸和Y軸組成的XY坐標(biāo)系中的正X軸方向傳送所述第一基底；

下傳送部件，所述下傳送部件被設(shè)置在所述上傳送部件下方并且其間具有間隙并固定和傳送所述第二基底，和

將所述第二基底與所述第一基底沿XYZ坐標(biāo)系統(tǒng)中的Z軸方向分離的分離器，XYZ坐標(biāo)系統(tǒng)由X軸、Y軸和與X軸和Y軸垂直相交的Z軸組成；

其中所述下傳送部件包括：

在正X軸方向傳送所述第二基底的第一傳送部分；和

在正X軸方向和負(fù)Y軸方向傳送所述第二基底的第二傳送部分；并且

其中所述分離器包括刀，所述刀通過在負(fù)X軸方向移動而被插入在所述第二基底與所述第一基底之間以通過沿Z軸方向移動而部分分離所述第一基底與所述第二基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二傳送部分接觸在XY坐標(biāo)系統(tǒng)中具有負(fù)斜率的直線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中負(fù)斜率的絕對值是恒定的。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第二傳送部分包括負(fù)斜率的絕對值隨著與所述第一傳送部分的距離的增大而增大的部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二傳送部分的頂表面包括傾斜表面，并且所述傾斜表面包括平坦表面或彎曲表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中由所述第一傳送部分的頂表面和所述第二傳送部分的頂表面形成的角的范圍為大于135度至小于180度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所 述第一傳送部分的所述頂表面和所述第二傳送部分的所述頂表面面向所述上傳送部件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述分離器進(jìn)一步包括：

刀支撐件，所述刀支撐件被連接到所述刀以固定所述刀；和

刀驅(qū)動單元，所述刀驅(qū)動單元移動所述刀支撐件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述分離器被連接到所述上傳送部件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括將所述第二基底與所述第一基底沿負(fù)X軸方向分離的輔助分離器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述輔助分離器被設(shè)置在所述第二傳送部分的側(cè)部上或在所述第一傳送部分與所述第二傳送部分之間的邊界的側(cè)部上。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述輔助分離器包括：

輔助刀，所述輔助刀被插入在所述第二基底與所述第一基底之間以將所述第一基底與所述第二基底沿負(fù)X軸方向分離；和

輔助刀支撐件，所述輔助刀支撐件被連接到所述輔助刀以固定所述輔助刀。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述上傳送部件包括：

上保持單元；

上固定單元，所述上固定單元被設(shè)置在所述上保持單元下方以固定所述第一基底的頂表面；和

上驅(qū)動單元，所述上驅(qū)動單元移動所述上保持單元。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述上固定單元包括真空吸附所述第一基底的所述頂表面的上真空吸附部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述下傳送部件進(jìn)一步包括：

下保持單元，其中所述第二基底被設(shè)置在所述下保持單元的頂表面并且所述下保持單元包括所述第一傳送部分和所述第二傳送部分；

下固定單元，所述下固定單元固定所述第二基底的底表面；和

下驅(qū)動單元，所述下驅(qū)動單元移動被設(shè)置在所述下保持單元上的所述第二基底。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述下固定單元包括真空吸附所述第二基底的所述底表面的下真空吸附部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述下保持單元進(jìn)一步包括傳送帶。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器供應(yīng)離子以中和所述第二基底或所述第一基底上帶的靜電。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述離子發(fā)生器為通過X射線照射產(chǎn)生離子的光電離器。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述離子發(fā)生器被設(shè)置在所述第一傳送部分與所述第二傳送部分之間的邊界的側(cè)部上或在所述第二傳送部分的側(cè)部上。