[發明專利]一種設有泵送管道壓力監控裝置的化學干法蝕刻機在審
| 申請號： | 201410075877.7 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN104900508A | 公開（公告）日： | 2015-09-09 |
| 發明（設計）人： | 張程;王旭東 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;包姝晴 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 設有 管道 壓力 監控 裝置 化學 蝕刻 | ||
【權利要求書】：
1.一種設有泵送管道壓力監控裝置的化學干法蝕刻機，其特征在于，包含：通過泵送管道（3）依次連接的工藝室（1）、隔離閥（4）、自動壓力控制器（5）及干泵（2）；
所述的自動壓力控制器（5）與干泵（2）之間設置數字壓力檢測器（6）；
所述的數字壓力檢測器（6）設置在泵送管道（3）的外側；
所述的數字壓力檢測器（6）用于檢測泵送管道（3）壓力改變。
2.如權利要求1所述的化學干法蝕刻機，其特征在于，所述的泵送管道（3）外側均布多個O型圈（31）。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
