[發明專利]掩膜版、有機層加工方法、顯示基板制備方法有效
| 申請號: | 201410074933.5 | 申請日: | 2014-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN103882374A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 趙德江;張家奇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 有機 加工 方法 顯示 制備 | ||
技術領域
本發明屬于有機層加工技術領域,具體涉及一種掩膜版、有機層加工方法、有機發光二極管顯示基板制備方法。
背景技術
有機發光二極管(OLED)顯示裝置具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、使用溫度范圍廣等優點,故獲得了越來越廣泛的應用。
如圖1所示,有機發光二極管顯示裝置包括有機發光二極管顯示基板2,有機發光二極管顯示基板2的每個像素單元中有一個有機發光二極管,該有機發光二極管由在基板基底21上依次設置的陽極22、發光層23、陰極24組成。其中,各有機發光二極管的陽極22相互分開,并由薄膜晶體管陣列控制;而各有機發光二極管的發光層23和陰極24則連為一體,發光層可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有機發光材料層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等多層結構,陰極則可由金屬制成。
對于頂發射型有機發光二極管顯示裝置,其陰極23需透光,故厚度必然很薄,電阻較大。為此。可在基板基底21上設置輔助電極25(可為網格狀,當然不能與陽極等其他結構電連接),而陰極24通過發光層23中的輔助過孔231與輔助電極25相連,形成“并聯”形式,從而降低電阻。在制備帶有輔助電極23的有機發光二極管顯示基板2時,現有方法是在蒸鍍形成發光層23的過程中使用精細金屬掩膜版(FFM),從而在形成發光層23的同時即直接在其中形成輔助過孔231,之后再形成陰極24,則陰極24自然通過輔助過孔231與輔助電極25相連。
發明人發現現有技術中至少存在如下問題:有機發光二極管顯示基板的發光層為多層結構,需多次蒸鍍才能形成,而在多次蒸鍍中精細金屬掩膜的對位難以保證絕對準確,故先形成的過孔可能在之后的蒸鍍中被覆蓋;同時,對精度很高的圖形,其對應的精細金屬掩膜的圖形也很細小,容易在蒸鍍過程中被堵住等;總之,現有的形成輔助過孔的方法技術難度高,良率低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題包括,針對現有的有機發光二極管顯示基板的發光層中的輔助過孔制備難度高、良率低的問題,提供一種可有效對有機層進行精確加工的掩膜版、有機層加工方法、有機發光二極管顯示基板制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種掩膜版,其分為透光區和遮光區,所述透光區與待去除的有機層區域對應,且
所述透光區處設有光熱轉換材料,用于將光能轉換為熱能;
所述遮光區處設有阻光層,用于阻擋光透過。
優選的是,所述光熱轉換材料為吲哚菁綠、聚苯胺、碳納米材料、貴金屬納米材料中的任意一種。
進一步優選的是,所述碳納米材料為碳納米管、石墨烯、還原性石墨烯中的任意一種;所述貴金屬納米材料為納米金或納米鈀.
優選的是,所述光熱轉換材料的厚度在30nm至600nm之間。
優選的是,所述光熱轉換材料上還設有導熱結構,用于傳導由光熱轉換材料產生的熱量。
進一步優選的是,所述導熱結構的材料為鈦、金、鉑中的任意一種。
進一步優選的是,所述導熱結構的厚度在20-1000nm之間。
優選的是,所述阻光層的材料為黑色光阻材料。
優選的是,所述掩膜版還包括:透明基底,所述光熱轉換材料、阻光層均設于所述透明基底上。
優選的是,所述掩膜版為圓筒狀;所述光熱轉換材料位于所述圓筒狀掩膜版的外側。
優選的是,所述掩膜版還包括:位于所述遮光區中,并連接到所述透光區的導氣槽。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機層加工方法,其包括:
使上述掩膜版具有光熱轉換材料的一側與有機層接觸;
用激光照射所述掩膜版,使光熱轉換材料升溫,利用光熱轉換材料產生的熱能將對應透光區的有機層蒸發去除。
優選的是,所述光熱轉換材料上還設有導熱結構,所述導熱結構與有機層接觸。
優選的是,所述激光照射中使用的激光波長在300-2000nm之間,能量密度在1-20J/cm2之間,照射時間小于300秒。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種有機發光二極管顯示基板制備方法,其包括:
在基板基底上形成輔助電極;
形成發光層;
使使上述掩膜版具有光熱轉換材料的一側與發光層接觸;
用激光照射所述掩膜版,使光熱轉換材料升溫,利用光熱轉換材料產生的熱能將對應透光區的發光層蒸發去除,從而在發光層中形成輔助過孔,所述輔助過孔通到所述輔助電極上表面;
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