[發明專利]掩膜版、有機層加工方法、顯示基板制備方法有效
| 申請號: | 201410074933.5 | 申請日: | 2014-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN103882374A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 趙德江;張家奇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 有機 加工 方法 顯示 制備 | ||
1.一種掩膜版,分為透光區和遮光區,所述透光區與待去除的有機層區域對應,其特征在于,
所述透光區處設有光熱轉換材料,用于將光能轉換為熱能;
所述遮光區處設有阻光層,用于阻擋光透過。
2.根據權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,
所述光熱轉換材料為吲哚菁綠、聚苯胺、碳納米材料、貴金屬納米材料中的任意一種。
3.根據權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,
所述碳納米材料為碳納米管、石墨烯、還原性石墨烯中的任意一種;
所述貴金屬納米材料為納米金或納米鈀。
4.根據權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,
所述光熱轉換材料的厚度在30nm至600nm之間。
5.根據權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,
所述光熱轉換材料上還設有導熱結構,用于傳導由光熱轉換材料產生的熱量。
6.根據權利要求5所述的掩膜版,其特征在于,
所述導熱結構的材料為鈦、金、鉑中的任意一種。
7.根據權利要求5所述的掩膜版,其特征在于,
所述導熱結構的厚度在20-1000nm之間。
8.根據權利要求1至7中任意一項所述的掩膜版,其特征在于,
所述阻光層的材料為黑色光阻材料。
9.根據權利要求1至7中任意一項所述的掩膜版,其特征在于,還包括:
透明基底,所述光熱轉換材料、阻光層均設于所述透明基底上。
10.根據權利要求1至7中任意一項所述的掩膜版,其特征在于,
所述掩膜版為圓筒狀;
所述光熱轉換材料位于所述圓筒狀掩膜版的外側。
11.根據權利要求1至7中任意一項所述的掩膜版,其特征在于,還包括:
位于所述遮光區中,并連接到所述透光區的導氣槽。
12.一種有機層加工方法,其特征在于,包括:
使權利要求1至11中任意一項所述的掩膜版具有光熱轉換材料的一側與有機層接觸;
用激光照射所述掩膜版,使光熱轉換材料升溫,利用光熱轉換材料產生的熱能將對應透光區的有機層蒸發去除。
13.根據權利要求12所述的有機層加工方法,其特征在于,
所述光熱轉換材料上還設有導熱結構,所述導熱結構與有機層接觸。
14.根據權利要求12或13所述的有機層加工方法,其特征在于,
所述激光照射中使用的激光波長在300-2000nm之間,能量密度在1-20J/cm2之間,照射時間小于300秒。
15.一種有機發光二極管顯示基板制備方法,其特征在于,包括:
在基板基底上形成輔助電極;
形成發光層;
使權利要求1至11中任意一項所述的掩膜版具有光熱轉換材料的一側與發光層接觸;
用激光照射所述掩膜版,使光熱轉換材料升溫,利用光熱轉換材料產生的熱能將對應透光區的發光層蒸發去除,從而在發光層中形成輔助過孔,所述輔助過孔通到所述輔助電極上表面;
形成陰極,所述陰極通過輔助過孔與輔助電極連接。
16.根據權利要求15所述的有機發光二極管顯示基板制備方法,其特征在于,
所述光熱轉換材料上還設有導熱結構,所述導熱結構與有機層接觸。
17.根據權利要求15或16所述的有機發光二極管顯示基板制備方法,其特征在于,
所述有機發光二極管顯示基板為頂發射式有機發光二極管顯示基板。
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