[發明專利]微電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201410073575.6
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104022073B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 亨利·席卜耶特
• 申請（專利權）人: 法國原子能源和替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/822
• 代理公司: 11400 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 方挺;葛強<國際申請>=<國際公布>=<

1.制造微電子器件的方法，所述微電子裝置包括基板和堆，所述堆包括至少一個導電層和至少一個介電層,所述至少一個導電層和所述至少一個介電層通過連續淀積形成，該方法包括：

從所述基板的一個表面形成至少一個相對于所述基板表面水平面為凹陷的圖案，所述圖案的壁包括底部和側面部分，所述側面部分位于所述底部和所述基板的表面之間；

形成所述堆，所述堆的多個層有助于至少部分地填充所述圖案，其中所述堆的多個層是連續的，所述堆的第一層完全覆蓋所述圖案限定的凹處，所述堆的其它層完全覆蓋緊靠于其下方的所述堆的層；

將所述堆打薄到至少所述基板表面的水平面，以便在一個平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣完全露出；

其中，在所述打薄之后，所述方法包括在所述基板上形成至少一個電連接件，與所述至少一個導電層的邊緣接觸，并完全離開在所述平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣，在所述平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣形成閉合線形式的輪廓，

其中所述至少一個電連接件在所述至少一個導電層的邊緣上形成單獨的觸點連接器,以及

其中所述側面部分包括至少一個直至所述基板的表面的傾斜壁，所述傾斜壁配置使得在所述平面中齊平的所述至少一個導電層的邊緣的寬度大于所述至少一個導電層的厚度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述基板的表面是導電的，在所述基板上形成所述堆，隨后是絕緣層和導電層的至少一次交錯。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述圖案的壁是電絕緣的，并且在所述基板上形成所述堆，隨后是導電層、介電層和導電層的至少一次相繼交替。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述傾斜壁由平整表面形成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述傾斜壁和所述基板表面的水平面間形成的角介于30°～90°之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成電連接件的步驟包括：

-淀積電氣絕緣材料，其中，通過光刻法和蝕刻法，對于所述堆的暴露的導電層的至少一個邊緣，限定至少一個開口以在所述邊緣提供電觸點；

-淀積導電材料，以形成電連接件，所述淀積配置為能夠通過所述至少一個開口。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述堆包括兩個被介電層間隔的導電層，配置所述至少一個開口以在所述兩個導電層的第一個邊緣上提供觸點，而不在該兩個導電層的第二個上提供觸點。

8.根據權利要求7所述的方法，包括配置第二開口，所述第二開口配置成在所述兩個導電層的所述第二個的邊緣提供觸點，而不在該兩個導電層的第一個上提供觸點。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述堆形成前和所述凹陷圖案形成后，形成電絕緣層以完成所述基板。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案的步驟包括蝕刻所述基板的步驟。

11.根據權利要求1所述的方法制造多層電容器件的方法。

12.根據權利要求1所述的方法在制造用于部件的路由和/或電源的應用。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述打薄步驟包括調平。